Методами електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) та фотолюмінесценції (ФЛ) досліджено процес зменшення інтенсивності ФЛ пористого кремнію при старінні. Підтверджено його зв'язок з десорбцією будь-якого об'єкту з поверхні пористого шару. Показано, що енергія активації набагато менше енергії зв'язків Si - Si та Si - H. Встановлено, що при десорбції утворюються два ЕПР-центри, які є поверхневими центрами кремнієвого окису. Показано, що зменшення інтенсивності ФЛ зумовлено не лише зростанням центрів безвипромінювальної рекомбінації, але і зменшенням концентрації центрів поглинання світла, яке збуджує люмінесценцію, та/або центрів випромінювання.

Запропоновано удосконалений метод безтигельної зонної плавки для одержання монокристалів силіцію напівпровідникової чистоти, що переважає традиційний спосіб за ефективністю та економічністю. Наведено результати його дослідно-промислових випробувань.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4

Рубрики:

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: ниобат лития, выращивание кристаллов, метод Чохральского, температурный градиент, оптическая однородность, показатель преломления, двулучепреломление.
Індекс рубрикатора НБУВ: К233.503.4 + В379.251.4

Рубрики:

Вирощування монокристалів лужних металів та їх сплавів

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено експериментальні дослідження тонких плівок GaN, одержаних шляхом обробки монокристалічних підкладок GaAs в активних радикалах азоту. Виконано вимірювання профілограм розподілу миш'яку та азоту за товщиною гетероструктури GaN/GaAs. Проведено аналітико-числове моделювання процесів росту тонких плівок GaN на підкладках GaAs та профілів розподілу атомів основних хімічних елементів, що входять до складу епітаксійної плівки GaN та монокристалічної підкладки GaAs. На основі аналітичних і числових розрахунків проаналізовано та уточнено фізико-математичні моделі росту тонких плівок GaN при обробці монокристалічних підкладок GaAs в активних радикалах азоту.

Описано особливості одержання нанопорошків на основі діоксиду цирконію, пов'язані з використанням надвисоких частот, імпульсного магнітного поля та ультразвуку в хімічній технології сумісного осадження. Визначено, що розроблена в ДонФТІ НАН України технологія дозволяє одержати оксидні нанопорошки з заданим розміром частинок, м'якими агломератами, необхідним хімічним і фазовим складом. Показано можливість зміни характеристик порошків за допомогою імпульсно-хвильових впливів. Описано кінетику кристалізації гідроксиду цирконію. Запропоновано ймовірнісні механізми росту наночастинок у різних температурних інтервалах. За допомогою методів електронного парамагнітного резонансу та ядерного магнітного резонансу вивчено процеси дегідрогенізації гідроксиду цирконію. Проведено комп'ютерне моделювання електронної структури й оцінено енергію активації цих процесів. Встановлено основні закономірності мартенситного перетворення, обумовленого напругами, що виникають у разі стискання порошкової системи за умов гідростатичного тиску. Оцінено властивості кераміки, спеченої з нанопорошків. Розглянуто основні переваги та можливе застосування нанопорошків.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4

Рубрики:

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4в73

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: З854-03 + В379.251.4,022

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Кристалізація

Шифр НБУВ: РА307200 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дисертація присвячена питанням вирощування методом безтигельної зонної плавки високоякісних бездислокаційних монокристалів кремнію великого діаметра. Розглядаються нові напрямки щодо створення оптимальних теплових умов та режимів вирощування, запропоновані нові рішення теплових систем і пристрої для відтворюваного і стійкого вирощування та легування монокристалів кремнію. Встановлені числові методи визначення режимів очистки і легування стрижнів кремнію і розроблений критерій оцінки їх придатності для одержання монокристалів заданої якості. Запропонована нова теорія утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, основана на взаємодії точкових дефектів і атомів домішок. Встановлено, що мікродефекти A- і D-типу мають різну фізичну природу і їхнє утворення залежить від умов вирощування монокристалів. Представлено розробку технології бездислокаційних монокристалів кремнію діаметром 105 мм.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4,022

Рубрики:

Кристалізація

Шифр НБУВ: РА306294 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Встановлено, що фізичні властивості CdTe:Cl визначено перебудовою системи точкових дефектів телуриду кадмію внаслідок легування й існування неоднорідностей, пов'язаних з нерівномірним розподілом легувальної домішки в об'ємі кристалів. Виявлено, що за перевищення критичного рівня легування відбувається утворення збагачених хлором включень і супутніх макродефектів структури, розсіяння на яких є причиною зниження величини оптичного пропускання в області прозорості CdTe. Встановлено, що спектральний хід коефіцієнта поглинання в області довгохвильового краю власного поглинання у сильнолегованих кристалах відтворює хвости густини станів, причиною існування яких є флуктації домішкового потенціалу через локальні неоднорідності в розподілі легувальної домішки. Визначено, що короткотривалий низькотемпературний відпал підвищує однорідність сильнолегованого матеріалу.

Висвітлено результати сучасних методів дослідження морфології та дефектної структури поруватих шарів фосфіду індію. Проаналізовано особливості впливу дефектів на процес пороутворення InP. Вдосконалено фізико-технологічні основи одержання поруватого фосфіду індію, доведено вплив дефектів на процес пороутворення. Показано, що процес електрохімічного травлення призводить до порушення стехіометрії кристалів і змінює хімічний склад поверхні. Зазначено, що дана проблема є актуальною, так як може суттєво впливати на оптичні й електричні властивості напівпровідників.

Экспериментально установлена корреляция подвижности и концентрации носителей заряда и условий выращивания методом жидкофазной эпитаксии арсенид-галлиевых слоев. Отмечено, что при изменении параметров технологического процесса выращивания, можно получить слои с требуемой подвижностью и концентрацией носителей заряда.

Експериментально встановлено кореляцію рухливості та концентрації носіїв заряду й умов вирощування методом рідкофазної епітаксії арсенід-галієвих шарів. У разі зміни параметрів технологічного процесу вирощування, можна одержати шари з необхідною рухливістю та концентрацією носіїв заряду.

The correlation between mobility and carriers concentration and growthТs conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growthТs process.

Досліджено структурні особливості, оптичних і люмінесцентних параметрів, міцнісних характеристик монокристалів боратів острівного, ланцюжкового, шаруватого та каркасного типів. Встановлено системи спайності та переважного розповсюдження трішин. Вивчено природу руйнування та визначено слабкі місця в атомній будові монокристалів боратів різних структурних типів. Визначено системи ковзання в кристалах острівного та каркасного типів, встановлено кристалографічну природу пластичності. Показано, що механізм пластичної деформації за температур, які близькі до плавильних, дислокаційний. Визначено природу радіаційно-індукованих точкових дефектів в монокристалах боратів різних структурних типів. Розроблено моделі стабільних радіаційно-стимульованих електронних і дірочних центрів захоплення, а також моделі активаторних центрів, утворених рідкісноземельними елементами в решітках боратів. Запропоновано механізм створення стійких радіаційно-індукованих френкелівських пар у катіонній підрешітці.

  Скачати повний текст

Досліджено температурно-часові характеристики процесу відпалу, їх зв'язок зі структурними, механічними й електрофізичними параметрами монокристалів HIH GaAs. Розглянуто вплив часу термообробки та охолодження на показники стабільності електрофізичних параметрів монокристалів з різною стехіометрією та структурою дислокацій. Методом дослідження профілів дифузії домішки встановлено вплив стехіометрії на електрофізичні властивості HIH GaAs. Розглянуто особливості одержання епітаксійних шарів арсеніду галію з розчину в розплаві вісмуту. Висвітлено перспективність застосування ізовалентного розчинника для однорідного розподілу дислокацій і зменшення їх щільності в епітаксійних шарах. Запропоновано способи одержання p - n-структур HIH GaAs для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання та структур фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання методом рідкофазної епітаксії, з використанням ізовалентного металу -розчинника вісмуту з покращеними приладовими характеристиками.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4

Рубрики:

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.251.4

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ