Пошуковий запит: (<.>U=В379.222$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 622
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Балабай Р. М. Конфигурации точечных дефектов в кремнии при критических концентрациях : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.07. — О., 1993
|
| 2. |
Балабай Р. М. Конфигурации точечных дефектов в кремнии при критических концентрациях : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.07. — О., 1993
|
| 3. |
Балабай Р. М. Конфигурации точечных дефектов в кремнии при критических концентрациях : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.07. — О., 1993
|
| 4. |
Балабай Р. М. Конфигурации точечных дефектов в кремнии при критических концентрациях : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.07. — О., 1993
|
| 5. |
Крайчинський А. М. Нерівноважні процеси в кремнії і германії при імпульсному електронному опромінюванні : Дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.07. — К., 1994
|
| 6. |
Крайчинський А. М. Нерівноважні процеси в кремнії і германії при імпульсному електронному опромінюванні : Дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.07. — К., 1994
|
| 7. |
Малик О. П. Явища переносу і дефектоутворення в Cd Hg Te при високій температурі : Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Львів, 1994
|
| 8. |
Малик О. П. Явища переносу і дефектоутворення в Cd Hg Te при високій температурі : Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Львів, 1994
|
| 9. |
Давидюк Г. Є. Електричні і оптичні властивості монокристалів сульфіду кадмію з дефектами радіаційного походження : Дис... д-ра фіз.- мат. наук: 01.04.10. — Луцьк, 1995
|
| 10. |
Сайко С. В. Нестаціонарна акустоелектрична та акустооптична спектроскопія глибоких рівнів в GaAs : Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07. — К., 1996
|
| 11. |
Даулєтмуратов Б. К. Стимульоване лазерним випромінюванням дефектоутворення в CdTe та твердих розчинах MgxCd1-xTe і CdxHg1-xTe : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07. — К., 1998
|
| 12. |
Kashirina N. I. Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 13. |
Міщенко Л. А. Вплив домішки ванадію на дефектоутворення в телуриді кадмію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 1998
|
| 14. |
Гасан-заде С. Г. Деградация параметров полупроводниковых структур при термоциклировании и электрическая активность дислокаций в n-CdxHg1-xTe. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 15. |
Глинчук К. Д. Изменение положения максимума и полуширины низкотемпературной (77 К) краевой полосы люминесценции при вариации концентрации фоновых легкоионизируемых примесей С и Si в нелегированных полуизолирующих кристаллах GaAs. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 16. |
Melnychuk S. V. Energy spectrum of transition metal impurity in a semiconductor with an ideal surface // Condensed Matter Physics. - 1999. - 2, № 1.
|
| 17. |
Kudryavtsev O. O. Saddle point excitonic resonances in BiI3 layered single crystals // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4.
|
| 18. |
Прозоровский В. Д. Состояние вакансий ртути в полумагнитном полупроводнике Hg1 - x - yCdx MnyTe. — 1999 // Физика низ. температур.
|
| 19. |
Yur'eva E. I. Atomic interaction features in orthorhombic Si2N2O doped by p-elements // Functional Materials. - 1999. - 6, № 4.
|
| 20. |
Шаповалов В. П. Кластеризация микродефектов в кремнии при термическом окислении. — 1999 // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
