Пошуковий запит: (<.>U=В379.222$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 622
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Kakazej M. A behaviour of manganese impurity in <$E bold {beta - roman ZnP sub 2 }> // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4.
|
| 2. |
Benramache S. A comparative study the calculation of the optical gap energy and Urbach energy in undoped and indium doped ZnO thin films // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 1.
|
| 3. |
Yacine Aoun A study the aluminum doped zinc oxide thin films // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 3.
|
| 4. |
Gorkavenko T. V. Ab initio calculation of the interaction of an edge dislocation with transition metal impurity atoms in silicon // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 5.
|
| 5. |
Plyushchay I. V. Ab initio modeling of Boron impurities influence on the electronic and atomic structure of Titanium carbide // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 4.
|
| 6. |
Горкавенко Т. В. Ab initio розрахунок взаємодії домішки азоту з крайовою дислокацією в кремнії // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2017. - Вип. 1.
|
| 7. |
Плющай І. В. Ab initio розрахунок магнітної взаємодії крайової дислокації та домішки кисню в кремнії // Металлофизика и новейшие технологии. - 2014. - 36, № 5.
|
| 8. |
Polulyakh S. N. About the influence of nuclear interactions on longitudinal magnetic relaxation of <$E bold {nothing sup 57 roman Fe}> nuclei in YIG films // Functional Materials. - 2006. - 13, № 2.
|
| 9. |
Selishchev P. A. Accumulation dynamics of oxygen clusters in silicon and formation of their nonhomogeneous distribution // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1.
|
| 10. |
Yaremiy I. P. Aging processes in films of iron-yttrium garnet implanted by boron ions // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - 20, № 1.
|
| 11. |
Nadolinny V. A. An influence of transition metal ions impurities on the luminescence of Li2Zn2(MoO4)3 crystals // Functional Materials. - 2011. - 18, № 3.
|
| 12. |
Patskun I. I. Analysis of absorption spectra of Bi-doped <$E bold {beta - roman CdP sub 2}> crystals. — 2004 // Укр. фіз. журн.
|
| 13. |
Yur'eva E. I. Atomic interaction features in orthorhombic Si2N2O doped by p-elements // Functional Materials. - 1999. - 6, № 4.
|
| 14. |
Boiko I. I. Band carriers scattering on impurities // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 2.
|
| 15. |
Shanina B. D. Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 3.
|
| 16. |
Malyk O. P. Calculation of the electron wave function and crystal potential in a sphalerite semiconductor at a given temperature // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2022. - 14, № 5.
|
| 17. |
Balabay R. M. Calculations of characteristics of impurity-defect complexes in silicon at high concentrations of impurities. — 2005 // Укр. фіз. журн.
|
| 18. |
Zakharchuk D. A. Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity // Ядер. фізика та енергетика. - 2014. - 15, № 1.
|
| 19. |
Abdelkrim Mostefai Characterization of aluminum gallium arsenide (AlxGa1 - xAs) semiconductors using MATLAB // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2022. - 14, № 2.
|
| 20. |
Benhaliliba M. Characterization of coated Fe-doped zinc oxide nanostructures // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2013. - 5, 3 (ч. 1).
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
