Пошуковий запит: (<.>U=З843.3<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 328
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Minaeva O. P. Features luminous conductivity in the crystals treated in a corona discharge // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2016. - Вып. 25.
|
2. |
Головацький В. А. Вплив магнітного поля на сили осциляторів міжзонних квантових переходів у двоямній сферичній квантовій точці // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2016. - 13, № 4.
|
3. |
Borschak V. A. Features of volt-farad dependence of nonideal heterojunctions barrier capacity // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2016. - Вып. 25.
|
4. |
Ptashchenko O. O. Effect of water vapors on the time-resolved surface current induced by ammonia molecules adsorption in GaAs p - n junctions // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2016. - Вып. 25.
|
5. |
Казаков А. Моделирование областей сосуществования фаз в твердых растворах InxGa1-xAsyP1-y с использованием различных термодинамических моделей // Техн. науки та технології. - 2016. - № 3.
|
6. |
Баранов М. И. Антология выдающихся достижений в науке и технике. Ч. 37: Лауреаты Нобелевской премии по физике за 2000 - 2004 гг. // Електротехніка і електромеханіка. - 2017. - № 2.
|
7. |
Taranenko Y. Examining quality of material for the synthesis of photonic crystals by the method of sedimentation analysis // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2017. - № 1/6.
|
8. |
Ховерко Ю. М. Розроблення елементів сенсорної техніки на основі структур кремній-на-ізоляторі та мікрокристалів кремнію, модифікованих домішками бору і нікелю : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.01. — Львів, 2016
|
9. |
Левченко І. В. Вплив зміни концентрації C4H6O6 в складі композицій (NH4)2Cr2O7 - HBr - C4H6O6 на параметри хіміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - 17, № 4.
|
10. |
Gevelyuk S. A. Dependence of photoluminescence of nanoparticle ensembles of stannum (IV) complexes in silica porous matrix on concentration of saturating solution // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2016. - Вып. 25.
|
11. |
Гвоздієвський Є. Є. Хімічна обробка CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe і Cd0,2Hg0,8Te водними розчинами HNO3 - HI - лактатна кислота // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - 17, № 2.
|
12. |
Rybalko P. D. Femtosecond laser crystallization of boron-doped amorphous hydrogenated silicon films // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 3.
|
13. |
Vertsimakha G. V. Variational approach to the calculation of the lowest Wannier exciton state in wide type-II single semiconductor quantum wells // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 2.
|
14. |
Слободзян Д. П. Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар'єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 4.
|
15. |
Фреїк Д. М. Процеси структуроутворення у парофазних наноконденсатах PbTe:Bi на ситалі // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2015. - 6, № 3.
|
16. |
Диденко Ю. В. Частотные и температурные зависимости диэлектрических потерь в полупроводниках на СВЧ // Электроника и связь. - 2015. - 20, № 3.
|
17. |
Vaksman Yu. F. Study of the impurity photoconductivity and luminescence in ZnTe:V crystals // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2016. - Вып. 25.
|
18. |
Хатян Д. В. Формування зонної діаграми напівпровідникових надграт // Вісн. Нац. техн. ун-ту України "КПІ". Сер. Радіотехніка. Радіоапаратобудування. - 2015. - Вип. 62.
|
19. |
Андросюк М. С. Вдосконалення технології вирощування злитків напівізолюючого арсеніду галію великого діаметру : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06. — Кременчук, 2015
|
20. |
Шеляпіна М. Електронна структура напівпровідникового твердого розчину <$E bold {{roman ZrNi} sub 1-x {roman Mn} sub x roman Sn}> // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім.. - 2007. - Вип. 48, ч. 1.
|
| |