РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (22)Автореферати дисертацій (2)
Пошуковий запит: (<.>U=З854.2<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 61
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Хрипко С. Л. Исследование электрофизических и оптических характеристик ITO/nSi/n+-Si фотопреобразователей с различной структурой поверхности кремния. — 1998 // Изв. вузов. Радиоэлектроника .
2.

Семикина Т. В. Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения на основе гетероперехода alpha-C/Si. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
3.

Колежук К. В. Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А2В6. — 2003 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
4.

Колежук К. В. Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения. — 2003 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
5.

Викулина Л. Ф. Определение диаметра луча с помощью фотоприемника. — 2003 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
6.

Курмашев Ш. Д. Спектральная фоточувствительность Ni - Si: Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением. — 2002 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
7.

Ницович Б. М. Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений.. — 2004 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
8.

Викулин И. М. Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники. — 2004 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
9.

Алтухов А. А. Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона. — 2007 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
10.

Каримов А. В. Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев. — 2007 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
11.

Сизов Ф. Ф. Фотоэлектроника для систем видения в "невидимых" участках спектра. — К.: Академпериодика, 2008
12.

Каримов А. В. Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs-nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
13.

Павелец С. Ю. Высокоэффективные поверхностно-барьерные сенсоры с низкоомными поверхностными слоями. — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
14.

Марончук И. Е. Позиционно-чувствительные фотоприемники на основе Si и эпитаксиальных структур GaAs. — 2002 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
15.

Stafeev V. I. Photodetectors of ultraviolet range on the base of <$E bold {A sub 3 B sub 5}> compositions. — 2005 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
16.

Alyoshin A. N. PbS-based IR-sensitive photoelectrical detectors and matrixes built-in a silicon substrate with schemes of data processing. — 2005 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
17.

Швець О. Г. Деякі аспекти схемотехніки оптикоелектронних сенсорів. — 2006 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
18.

Міхалко В. В. Перспективи використання фотографічних приймачів оптичного випромінювання з метою повітряної розвідки. — 2005 // Системи оброб. інформації.
19.

Gorban A. P. Impact of excess charge carrier concentration on effective surface recombination velocity in silicon photovoltaic structures. — 2006 // Укр. фіз. журн.
20.

Журиленко Б. Е. Измерение перемещения оптического луча по изменению его интенсивности. — 2008 // Електроніка та системи упр.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського