Розглянуто фізичні принципи роботи сенсорів - чутливих елементів, які перетворюють різноманітні види неелектричних впливів (температура та магнітне поле) на електричний сигнал. Значну увагу приділено напівпровідниковим сенсорам. Наведено теоретичні співвідношення, параметри, що їх визначають, а також основні характеристики сенсорів, які випускаються промисловістю.

Методами металлографии, электронографии и электронной микроскопии исследована поверхность ионнолегированного слоя кремния и граница раздела легированной и нелегированной областей. Изучена зависимость рельефа образующихся электронно-дырочных переходов и концентрации примеси (бор) от дозы в интервале 1014 - 1018 ион?см-2. Исследовано влияние отжига при температуре 700 - 900°С на структуру легированного слоя, в значительной степени определяющего эксплуатационные характеристики кремниевых приборов.

The surface of the ion-doped silicon layer and the boundary betveen of the doped and undoped areas were investigated by the methods and equipment of the metallography, electronography and electronic microscopy. The dependence of a contour of formed electronic-hole transitions and concentration of impurity (boron) from a doze in an interval 1014...1018 ions·cm-2 is investigated. The influence of annealing at the temperature of 700...900°С on doped structure of layer, which largely defines the operating performance of silicon gears in the concrete electronic circuits, is investigated.

Представлен метод определения диаметра луча света по формуле, связывающей измеряемое сопротивление фотоприемника с диаметром освещаемой площадки.

The formula, which bind up the photo-resistor resistivity with the diameter of the light ray is calculated. The diameter of the ray is more less than the area of the photosurface of the photodetector. The value of the diameter of the ray is calculatedby this formula.

Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится для длин волн l=1,25 - 1,75 мкм и может достигать 10 мкм и более. Инжекционное усиление в данном случае связано с ростом биполярной дрейфовой подвижности носителей тока при освещении.

Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Установлено, что совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода.

The physical mechanism of inside amplification at the p-n-junction with long base, on the lateral surface of which the field-effect MOS-contact was made, was considered. The joint action of several mechanisms of amplification the sensitivity of injection photodiodes is increase.

Предложен метод тестирования фосфид-галлиевых светоизлучающих диодов на продолжительность срока службы, значительно сокращающий время отбраковки ненадежных светоизлучающих диодов в производстве. Индивидуальный срок службы каждого светоизлучающего диода из данной партии определен по двум измеренным значениям яркости с помощью эталонного графика, построенного по результатам испытаний относительно небольшого количества изделий.

The method of testing of phosphide-gallium light-emitting diodes on duration of life expectancy, considerably cutting time of a rejection of accident-sensitive light-emitting diodes in production is proposed. The individual life expectancy of each light-emitting diode from a sectional batch is defined on two measured values of luminosity with the help of the reference diagram, which is created by results of trials concerning small amount of hardware products.

Разработаны конструкции магниточувствительных мостовых сенсоров, состоящих либо из четырех одноколлекторных магнитотранзисторов, либо из пары двухколлекторных магнитотранзисторов с противоположным типом проводимости. Чувствительность сенсоров на порядок выше известных за счет того, что все элементы моста реагируют на действие магнитного поля.

The constructions of the bridge magnetosensitivity, which are consisted both from four one-collection magnetotransistors or from pair of two two-collection magnetotransistors with opposite type of conductivity, were constructed. The sensitivity of such sensor on the one time of value is lager of certain cases because all elements of the bridge are reacted on the magnetic field influence.

Обсуждена связь оптимальных геометрических характеристик и спектров электролюминесценции р-n-структур для их применения в качестве светоизлучающих диодов или фотоприемников. Рассмотрена возможность использования электролюминесценции р-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников. Показано применение обнаруженных зависимостей на примере арсенидгаллиевых р-n-структур.

The relations of the optimum geometrical characteristics of the p-n-structures for their usage as a light-emitting diodes or a photodetectors is considered. The possibility of using of an electroluminescence of p-n-structures for operational development them at manufacture of photodetectors is surveyed. The application of detected dependences for an example gallium arsenide p-n-structures is shown.

Рассмотрены перспективные подходы к проблемам измерения, обработки и представления спектральных зависимостей в области оптоэлектроники. Предложен способ графического разделения перекрывающихся полос люминесценции. Показано удобство применения специальных координат для анализа физических явлений на примере описания спектров люминесценции арсенида галлия.

Исследованы характеристики преобразователя света с частотным выходом на основе однопереходного транзистора. Для достижения линейности зависимости частоты от светового потока и повышения фоточувствительности в цепи эмиттера вместо фоторезистора использован полевой транзистор. Расширение спектра фоточувствительности в инфракрасную область можно достигнуть, если база полевого фототранзистора содержит примеси, создающие глубокие уровни в запрещенной зоне кремния.

Разработана схема датчика температуры на основе генератора на однопереходном транзисторе с двумя токозадающими полевыми транзисторами, частота генерации которого линейно растет с увеличением температуры. Экспериментально исследовано воздействие радиации на его работоспособность.

Індекс рубрикатора НБУВ: З86-01

Рубрики:

Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж70260 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены основные физико-химические процессы, происходящие в МДП- и МП-структурах при взаимодействии с водородом. Установлен физический механизм адсорбционной чувствительности таких структур.

Изложены основы физических явлений, происходящих в проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалах. Показаны особенности применения этих материалов для изготовления устройств твердотельной электроники, включая оптоволоконные линии связи. Рассмотрен класс проводников электрического тока с последующим переходом к полупроводникам, диэлектрикам и магнитным материалам. Внимание уделено изучению физических свойств и процессов в материалах и способам их реализации в соответствующих устройствах.

Індекс рубрикатора НБУВ: Д21

Рубрики:

Фізика Землі

Шифр НБУВ: Ж14153 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено модель хвильового сейсмічного процесу, яка базується на уявлення про ротаційну природу пружних хвиль. У межах моделі розглянуто висновки стосовно спектра швидкості міграції землетрусів, чандлерівського хитання полюса Землі та процесів у вогнищі землетрусу. Показано, що сильний землетрус - це наслідок взаємодії тектонічної хвилі крутіння з відповідним сейсмофокальним блоком. Обгрунтовано висновок, згідно з яким на обертовій планеті тектонічні хвилі крутіння, розглянуті у сукупності, є пружним полем, яке є наслідком самоузгодженої дії блоків геофізичного середовища.

Рассмотрены механизмы изменения параметров компонентов ВОЛС при радиационном воздействии. Влияние радиации на элементы ВОЛС проявляется в уменьшении интенсивности света, излучаемого светодиодом, а также в снижении чувствительности фотоприемника, принимающего световой сигнал.

Рассмотрены процессы, происходящие в туннельных МДП-диодах и диодах Шоттки, при их взаимодействии с водородом и его влияние на электрические характеристики таких структур.

Рассмотрена возможность использования металлов различной толщины и диэлектриков в МДП-структурах, чувствительных к водороду.