Викладено фізичні основи квантових низькорозмірних систем, описано їх властивості та методи одержання. Розглянуто оптичні, електрооптичні властивості напівпровідникових наноструктур, магнітні властивості гранульованих нанокомпозитів з гігантським магнітоопором. Висвітлено основи цілочислового та дробового квантових ефектів Холла. Наведено приклади застосування низькорозмірних систем в електроніці та сучасних технологіях.

Изложены физические основы квантовых низкоразмерных систем, описаны их свойства и методы получения. Рассмотрены оптические, электрооптические свойства полупроводниковых наноструктур, магнитные свойства гранулированных нанокомпозитов с гигантским магнитосопротивлением. Освещены основы целочисленного и дробного квантовых эффектов Холла. Приведены примеры применения низкоразмерных систем в электронике и современных технологиях.

Розглянуто акустооптичну взаємодію у твердих тілах. Визначено ефекти, що супроводжують поширення активного ультразвуку у кристалах. Описано метод диференціальної оптичної спектроскопії з використанням ультразвуку. Проаналізовано вплив ультразвуку на екситонну комбінацію в об'ємних напівпровідникових кристалах і квантово-розмірних структурах, а також особливості сонолюмінесценції твердих тіл.

Рассмотрено акустооптическое взаимодействие в твердых телах. Определены эффекты, сопровождающие распространение активного ультразвука в кристаллах. Описан метод дифференциальной оптической спектроскопии с использованием ультразвука. Проанализированы влияние ультразвука на екситонную комбинацию в объемных полупроводниковых кристаллах и квантово-размерных структурах, а также особенности сонолюминесценции твердых тел.

Ключ. слова: ультразвук, пьезоэлектрический потенциал, сегнетоэлектрик, домены, визуализация
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7

Рубрики:

П'єзоелектричні і сегнетоелектричні явища. Фізика п'єзоелектриків і сегнетоелектриків (фероелектриків)

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.413

Рубрики:

П'єзоелектрики

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З845.7-01

Рубрики:

Хвилевідні лінії передачі. Хвилеводи та об'ємні резонатори

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено порівняльні експериментальні та теоретичні дослідження процесів перенесення заряду у двовимірному електронному газі в структурі GaAs/AlGaAs під дією п'езоактивних акустичних коливань ультразвукової частоти. Експериментально зареєстровано зміни спектра фотолюмінесценції та її просторового розподілу в збуджувальному високочастотному п'єзоелектричному полі. Наведені дані добре узгоджуються зі змінами, одержаними за допомогою числового моделювання. Показано, що нормальна до площини GaAs складова п'єзоелектричного поля здатна впливати на процеси перпендикулярного перенесення заряду у структурі. Зареєстровано перегин на вольт-амперній характеристиці структури, характерний для резонансного тунелювання крізь бар'єрні шари, та запропоновано відповідну модель вигину зон у п'єзоелектричному полі.

Дисертацію присвячено дослідженням порогових акусто-оптичних явищ у кристалах та низькорозмірних напівпровідникових структурах при дії ультразвукового навантаження. Вперше спостерігалися порогові ефекти акустофотопровідності твердих тіл, індукованої ультразвуком емісії електронів з поверхні кристалів ZnS, сильного звуження забороненої зони напівпровідників під дією ультразвуку, сонолюмінесценції гранульованої речовини. Запропоновано нові оптико-акустичні методики ідентифікації точкових дефектів та дислокацій у кристалах, включаючи дефекти, локалізовані на границі поділу напівпровідникова підкладка/тонкий шар, розроблено новий метод вивчення ефектів пакування мікрочастинок шляхом реєстрації просторового розподілу інтенсивності сонолюмінесценції. Показано можливість керування кінетикою випромінювальної рекомбінації екситонів, зв'язаних у квантових ямах та екситонних комплексах. Спостережені ефекти та запроваджені нові методики дослідження є основою для їх практичного використання при дослідженнях якості границь поділу твердих тіл, керуванні динамікою фотозбуджених носіїв струму в напівпровідниках, динамічних процесів у гранульованих сумішах із застосуванням ультразвукового навантаження.

Изучены закономерности как самостоятельного, так и комбинированного влияния кавитации и магнитного поля на структурное совершенство приповерхностных слоев кристаллов кремния. Обнаруженный немонотонный характер зависимости структурных параметров от времени действия кавитационной и магнитной обработок связывается с процессами самоорганизации структурных дефектов.

Путем локальных измерений фото-эдс и построения карт распределения поверхностного электрического потенциала определен характер магнитостимулированных изменений во времени жизни носителей заряда в кристаллах кремния для солнечной энергетики и микроэлектроники. Особенности в проявлении выявленных магниточувствительных эффектов связываются с различиями в примесном составе и с различиями в протекании вызванных магнитным влиянием междефектных преобразований в кристаллах "солнечного" кремния и кремния для микроэлектроники.

Изучена возможность повышения коэффициента полезного действия солнечных элементов, изготавливаемых на основе базовых кристаллов solar-Si, при нанесении на их поверхность полимерных (эпоксиуретановых) покрытий и при использовании магнитной обработки в слабых магнитных полях. Показано, что сочетание пассивирующих просветляющих полимерных покрытий с влиянием магнитного поля приводит к изменению характера спада фотоэдс и к увеличению диффузионной длины носителей и, соответственно, указывает на возможность повышения коэффициента полезного действия солнечных элементов.

Описано особливості зонної структури деформованих нанодротів InР різного діаметра. Показано, що вигин квантових дротів здатний створити віддалені від поверхонь циліндричного дроту локальні мінімуми у зоні провідності та валентній зоні. Цей результат відкриває нові можливості керування часом життя фотозбуджених носіїв заряду шляхом їх утримання на цих мінімумах, а також величиною фотонапруги у пристроях перетворення сонячної енергії на квантових дротах. Робота переслідує загальну мету розробити нові методи функціоналізації наноструктурованих поверхонь з використанням механічної деформації.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26 в734.5

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Изучено влияние слабого стационарного магнитного поля на кинетику спада фотоэдс в кристаллах "солнечного" кремния (solar-Si). Установленные особенности в поведении электрофизических параметров показали, что кратко- и долговременная компоненты спада фотоэдс определяются длительностью магнитной обработки. Короткое время магнитной обработки приводит к увеличению, а длительная магнитная обработка вызывает уменьшение обеих компонент спада фотоэдс по сравнению с контрольными кристаллами. Выявлено, что характер магнитостимулированного изменения кинетики фотоэдс коррелирует с зарядовым состоянием поверхности.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.26

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Одержано нанорозмірну фазу сульфіду цинку під час обробки ультразвуком полікристалічного вихідного матеріалу. Досліджено спектрально-кінетичні характеристики одержаної системи. Показано зміну каналів збудження та релаксації у кристалах за їх сонофрагментації у полярному розчиннику.

Изучено влияние слабого стационарного магнитного поля на кинетику спада фотоэдс в кристаллах "солнечного" кремния (solar-Si) с нанонаполненными полимерными покрытиями. Установлены характерные особенности магнитостимулированного изменения времени жизни носителей в зависимости от концентрации и способа формирования нанонаполнителей в полимерной матрице.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.231-4

Рубрики:

Оксид кремнію

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л719.2 + В379.271.4

Рубрики:

Шаруваті пластмаси

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.226

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Викладено результати досліджень оптичних і фотоелектричних властивостей напівпровідникових гетероструктур і нанокомпозитів на основі кремнію та оксиду цинку. Розглянуто методику сонохімічного синтезу таких систем. Показано інформативність фототермоакустичної та фотоелектричної мікроскопії при дослідженні теплових характеристик і стану приповехневого шару кремнієвих гетероструктур та нанокомпозитів. Представлено результати дослідження кремнієвих структур методом рентгенівської емісійної спектроскопії кратноіонізованих атомів.