Ключ. слова: модули солнечных элементов, фотопреобразователи солнечной энергии, многослойные тандемные гетероструктуры, низкотемпературная ЖФЭ, кпд, p-n-переход.
Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработана установка электрохимического профилирования полупроводниковых структур, в которой концентрация свободных носителей заряда определяется на основе вольт-фарадных характеристик барьера "электролит-полупроводник", а сканирование по толщине эпитаксиальных слоев осуществляется путем фотоэлектрохимического травления полупроводника. На примере эпитаксиальных структур GaAs показана высокая точность измерения концентрации носителей заряда на глубину не менее 10 мкм.

The arrangement for electrochemical profiling of GaAs based epitaxial structures, in which the free carriers concentration is obtained from the capacitance-voltage dependence of electrolyte/semiconductor barrier, depth scanning one accomplished by photo-electrochemical etching of semiconductor was elaborated and realized. The efficiency and high accuracy of arrangement free carriers definition on depth about 10 um was shown by profiling of test structure. The results of test structures investigation are brought out.

Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs-n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной "висмутовой" жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного (0,1мкВ/К) напряжения, а также высокую нормированную чувствительность (~150 В/А·Т). Сравнение однородности эпитаксиальных структур, изготовленных методами ГФЭ, МОС-гидридной эпитаксией и ЖФЭ показало, что наиболее однородными по толщине и концентрации являются структуры, выращенные низкотемпературной "висмутовой" ЖФЭ.

Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs-InGaAs-AlGaAs c тремя р-п-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур является наличие в их составе лавинного диода, соединяющего узкозонный и широкозонный р-п-переходы. Исследуются электрофизические характеристики слоев AlGaAs, легированных Mg и Bi. Приведены результаты исследований тандемной гетероструктуры с использованием растровой электронной микроскопии.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены основные тенденции мирового развития сверхъярких светоизлучающих диодов, в соответствии с которыми светоотдача источников света в 2012 г. на основе белых светодиодов в 100 раз превысит светоотдачу ламп накаливания. Значительное внимание уделено методам получения гетероструктур для светодиодов. Проанализированы параметры белых светодиодов, светодиодных модулей и источников света, изготовляемых ведущими светотехническими фирмами.

The basic world tendencies of development highlight LEDs were considered. In accordance with world tendencies efficiency of sources of light in 2012 on the basis of white light-emitting diodes in 100 times will exceed efficiency of incandescent lamps.Considerable attention was spared to the methods of obtaining heterostructures for light-emitting diodes. The parameters of white light-emitting diodes, light-emitting modules and sources of light, made by leading lighting engineering firms, were analysed thoroughly.

Ключ. слова: эпитаксиальные слои, редкоземельные элементы, точка инверсии
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж14162 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К821

Рубрики:

Виробництво металевих канатів (тросів)

Шифр НБУВ: Ж28347 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27

Рубрики:

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p{\up\fs8 +}-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p{\up\fs8 +}-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышении температуры в указанном интервале со скоростью 8-10°С/мин позволяет получить резкую границу раздела между слоями р- и n-типа проводимости. Такой способ формирования резких гетерограниц в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si может мыть использован для изготовления широкой номенклатуры эпитаксиальных структур.

Розроблено спосіб формування якісних гетеромеж в системі p{\up\fs8 +}-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD за умов безперервного вирощування при зростанні температури кристалізації від 600 до 760°С. Встановлено, що режим формування шару твердого розчину p{\up\fs8 +}-AlGaAs:Zn наповерхні шару n-GaAs:Si за умови підвищення температури в зазначеному інтервалі зі швидкістю 8-10°С/хв дозволяє отримати різку межу розділу між шарами р- та n-типу провідності. Такий спосіб формування різких гетеромеж в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si може бути використаний для виготовлення широкої номенклатури епітаксійних структур.

The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80-120°N optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of continuous growth at changing crystallization temperature from 600-700°C has been developed. It has been determined that the crystallization of p+-AlGaAs:Zn solid solution layer on the surface of n-GaAs:Si layer, with increasing the crystallization temperature in the temperature range of 600-760°C at a rate 8-10 °C/min allows to crystallize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial structures.

Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p-i-n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды.

Розроблено технологію вирощування двосторонніх високовольтних кремнієвих p-i-n-структур мето¬дом рідиннофазної епітаксії в єдиному технологічному процесі. Електрофізичні параметри одержаних структур дозволяють виготовляти на їх основі високовольтні діоди.

Silicon p-i-n-structures are usually obtained using conventional diffusion method or liquid phase epitaxy (LPE). In both cases, the formation of p- and n-layers occurs in two stages. This technological approach is quite complex. Moreover, when formingbilateral high-voltage epitaxial layers, their parameters significantly deteriorate as a result of prolonged heat treatment of active high-resistivity layer. Besides, when using diffusion method, it is impossible to provide good reproducibility of the process. In this paper a technique of growing bilateral high-voltage silicon p-i-n-structures by LPE in a single process is proposed. The authors have obtained the optimum compounds of silicon-undersaturated molten solutions for highly doped (5•10{\up\fs8 18} cm{\up\fs8 –3}) contact layers: 0.4 - 0.8 at. % aluminum in gallium melt for growing p-Si-layers and 0.03 - 0.15 at. % ytterbium in tin melt for n-Si-layers. Parameters of such structures provide for manufacturing of high-voltage diodes on their basis. Such diodes can be used in navigational equipment, communication systems for household and special purposes, on-board power supply systems, radar systems, medical equipment, etc.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: ДС41753сл Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: ДС41753сл Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: ДС41753сл Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: ДС41753сл Пошук видання у каталогах НБУВ