Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) |
Пошуковий запит: (<.>A=Кудринський З$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 13 Представлено документи з 1 до 13 |
||||
| 1. | Кудринський З. Р. Вплив низькотемпературного відпалу на властивості гетеропереходів IBpD-InSe - IBnD-InVB2DOVB3D / З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2012. - № 1/5. - С. 25-28. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Кудринський З. Р. Інтеркальовані шаруваті кристали InSe, GaSe і BiBV2DTeBV3D та чутливі елементи перетворювачів тиску на їх основі / З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2013. - 10, № 2. - С. 62-67. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Катеринчук В. М. Температурна динаміка спектрів поляризаційної чутливості гетеропереходів власний оксид - р-InSe / В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2013. - 10, № 4. - С. 92-96. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Кудринський З. Р. Формування та властивості наноструктур на основі шаруватих кристалів селенідів індію і галію : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / З. Р. Кудринський; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. - Чернівці, 2014. - 20 c. - укp.
Шифр НБУВ: РА407300 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Боледзюк В. Б. Вплив інтеркалювання кобальтом на властивості шаруватих кристалів InVB2DSeVB3D / В. Б. Боледзюк, А. Д. Шевченко, З. Р. Кудринський // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2012. - 4, № 3. - С. 03017. - Бібліогр.: 20 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Боледзюк В. Б. Феромагнетизм при кімнатній температурі в шаруватих напівпровідникових кристалах InTe, інтеркальованих кобальтом / В. Б. Боледзюк, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, А. Д. Шевченко // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 1. - С. 01027(5). - Бібліогр.: 30 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Ковалюк З. Д. Фоточутливі гетеропереходи n-Insub2/subOsub3/sub/p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару / З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, О. С. Литвин // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2013. - 5, 3 (ч. 2). - С. 03027-1-03027-5. - Бібліогр.: 21 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Кудринський З. Р. Нанокомпозитний матеріал на основі шаруватих кристалів GaSe та InSe, інтеркальованих сегнетоелектриком RbNOsub3/sub / З. Р. Кудринський, В. В. Нетяга // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2013. - 5, 3 (ч. 2). - С. 03028-1-03028-7. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Кушнір Б. В. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, сформованої на поверхні шаруватого кристалу GaSe / Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, В. М. Камінський, В. В. Хомяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - 15, № 4. - С. 763-766. - Бібліогр.: 5 назв. - укp. За допомогою методу магнетронного напилення створено гетероструктуру n-ZnO - p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, що сформована на свіжосколотій поверхні шаруватого кристалу GaSe; встановлено область спектральної чутливості. Показано, що плівка ZnO має гексагональну структуру. За допомогою методу АСМ-зображень встановлено, що тонка оксидна плівка ZnO має зернисту структуру; виявлено багаточисленні канали, що свідчать про складний характер змочування підкладки оксидом цинку. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Ковалюк З. Д. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnCdO гетеропереходу n-ZnCdO - p-GaSe / З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, Б. В. Кушнір, В. В. Хомяк // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2015. - 12, № 2. - С. 78-81. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Катеринчук В. М. Властивості анізотипних гетеропереходів n-CdO - p-InSe / В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, В. В. Хомяк, І. Г. Орлецький, В. В. Нетяга // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - 14, № 1. - С. 218-221. - Бібліогр.: 14 назв. - укp. Вперше виготовлено анізотипні гетеропереходи n-CdO - p-InSe на основі шаруватих кристалів InSe. Досліджено температурні залежності вольтамперних характеристик гетеропереходів і визначено механізми струмопроходження через бар'єр за прямого та зворотного зміщень. Встановлено область їх фоточутливості. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.271.21 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Кудринський З. Р. Структура окиснених і неокиснених поверхонь шаруватих кристалів InTe / З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, Р. Л. Поцілуйко // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 4. - С. 04049-1-04049-4. - Бібліогр.: 25 назв. - укp.
| |||
| 13. | Катеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, О. С. Литвин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - 17, № 4. - С. 507-510. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського