Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Уперше шляхом аналітичної обробки експериментальних світлових вольт-амперних характеристик сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au показано, що у процесі "хлоридної" обробки (ХО) максимальний коефіцієнт корисної дії спостерігається у разі товщини хлориду кадмію, яка одночасно забезпечує досягнення мінімальних значень послідовного електроопору та щільності діодного струму насичення. Запропоновано фізичні механізми, які визначають ефективність ХО.

Комплексно досліджено вплив шарів, що сполучаються, на ефективність і вихідні параметри плівкових сонячних елементів (СЕ) NaCl/ITO/CdS/CdTe/Cu/Au. Експериментально показано, що максимальна ефективність СЕ 7,8 % спостерігається у товщині шару (ТШ) сульфіду кадмію 0,6 мкм, у ТШ хлориду натрію 0,2 мкм і у ТШ хлориду кадмію 0,07 мкм. Уперше виявлено позитивний вплив сонячного опромінювання на ефективність СЕ на основі телуриду кадмію, який призводить до збільшення ефективності досліджуваних лабораторних зразків до 8,9 %.

Досліджено структурні й оптичні властивості плівок сульфіду кадмію, одержаних за допомогою методу термічного випарювання. Структурні параметри визначено з використанням рентгендифрактометричного методу, в якому області когерентного розсіяння та мікродеформації визначались шляхом аналітичної обробки окремих рентгендифрактограм. Проведено математичну обробку спектрів пропускання шарів сульфіду кадмію. Кристалічна структура й оптичні властивості досліджених плівок CdS визначаються товщиною та режимами відпалу шарів CdS.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + Ж619

Рубрики:

Структура напівпровідників

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследованы структурные и оптические свойства пленок сульфида кадмия, полученных методом химического осаждения из раствора. Структурные параметры определены рентгендифрактометрическим методом, в котором области когерентного рассеивания и микродеформации определялись путем аналитической обработки отдельных рентгендифрактограмм. Проведена математическая обработка спектров пропускания слоев сульфида кадмия. Кристаллическая структура и оптические свойства исследованных пленок CdS определяются толщиной и технологией осаждения слоев CdS.

Індекс рубрикатора НБУВ: З848.43-04

Рубрики:

Магнетронні радіопередавачі

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Досліджено структуру плівок сульфіду кадмію, одержаних за допомогою методу гарячої стінки. Встановлено, що зі збільшенням товщини шарів зменшуються механічні напруження, у цьому випадку за малих товщин плівки спостерігаються стискувальні макронапруження, а за більших - розтягувальні. У разі збільшення товщини плівки CdS збільшується ширина забороненої зони, що зумовлено збільшенням розміру областей когерентного розсіювання. Встановлено, що у ролі широкозонних "вікон" для створення ефективних сонячних елементів на основі гетеросистеми CdS/CdTe доцільно використовувати відпалені на повітрі плівки CdS товщиною близько 0,3 мкм.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + З854-04

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено фотоелектричні характеристики структур ITO/CdTe, виготовлених за допомогою методу термічного вакуумного випаровування та шляхом осадження у квазізамкненому об'ємі до та після різних обробок. Частина зразків проходила "хлоридну" обробку, інша - відпал на повітрі. Після цього проведено обробку зразків у плазмі водню та нанесення на них тонкої алмазоподібної плівки (АПП). Показано, що проведення "хлоридної" обробки структур ITO/CdTe призводить до збільшення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe. Проведення термовідпалу не впливає на значення дифузійної довжини носіїв заряду у шарі CdTe, але значно підвищує фоточутливість, що свідчить про зменшення на поверхні шару CdTe швидкості поверхневої рекомбінації. Шляхом комбінації термовідпалу, "хлоридної" обробки, плазмової обробки у водні та нанесення тонких АПП одержано збільшення довжини дифузії носіїв заряду у шарі CdTe в усіх досліджуваних структурах ITO/CdTe. На структурах ITO/CdTe, одержаних термічним вакуумним випаровуванням, обробка у плазмі водню призводила до значного збільшення спектральної чутливості в діапазоні довжин хвиль 400 - 800 нм, а на структурах, які пройшли "хлоридну" обробку, значне збільшення спектральної чутливості досягалось після обробки у плазмі водню і нанесення АПП.

Для создания промышленных технологий изготовления газовых датчиков и фронтальных электродов пленочных солнечных элементов исследовано влияние мощности магнетронного распыления и концентрации кислорода в рабочем газе на воспроизводимость электрической проводимости пленок диоксида олова. Экспериментально показано, что для повышения воспроизводимости электрических свойств необходимо снизить электрическую мощность до 10 Вт и повысить концентрацию кислорода до 50 %.

Для створення економічного, перспективного для промислового виробництва методу виготовлення базових шарів високоефективних сонячних елементів на основі діселеніду міді та індію проведено порівняльний аналіз структури та морфології поверхні плівок міді, індію та селену, електроосаджених у стаціонарних режимах (без перемішування) та під час ультразвукового перемішування електролітів. Експериментально доведено можливість застосування економічно вигідного та прийнятного для широкомасштабного виробництва методу катодного електрохімічного осадження прекурсорів діселеніду міді та індію в ультразвуковому режимі перемішування електролітів для створення базових шарів сонячних елементів.

Рассмотрены физико-технические особенности фотоэнергетического модуля нового поколения, которые в условиях высококонцентрированного солнечного излучения обеспечивают значения его кпд до 26 % по вырабатываемой электрической энергии и до 74 % по электрической и низкопотенциальной тепловой энергии в целом.

Изучены способы управления морфологией и свойствами наноструктур оксида цинка, изготавливаемых с помощью метода импульсного электрохимического осаждения. Продемонстрировано воздействие перемешивания электролита, изменения формы прямоугольных импульсов потенциала катода-подложки, а также состава электролита и длительности процесса импульсного электроосаждении на морфологию, кристаллическую структуру и оптические свойства наноструктурированных массивов ZnO. Проанализированы причины формирования посредством импульсного катодного электроосаждения без введения в электролит поверхностно-активных модификаторов роста массивов ZnO, состоящих из правильных шестигранных нанопластин и их стопок с вертикальным или горизонтальным расположением относительно подложек, слоев из параболоидных наноструктур ZnO, а также одномерных массивов оксида цинка, ориентированных перпендикулярно к подложке. С применением метода атомной силовой микроскопии продемонстрировано изготовление указанных наноструктурированных массивов оксида цинка. Посредством рентгеновской дифрактометрии и оптической спектроскопии изучены структура и свойства наноструктур ZnO, изготовленных по методу импульсного электрохимического осаждения.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В377.15

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Електричні явища при контакті твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработана экономически выгодная и пригодная для широкомасштабного производства методика получения тонких пленок сульфида олова SnS фотовольтаического назначения. Тонкие пленки SnS с орторомбической структурой герценбергита синтезированы путем сульфуризации в парах серы слоев олова, электроосажденных из стандартного раствора оловянирования. Синтезированный поликристаллический материал SnS является электронным полупроводником с шириной запрещенной зоны и коэффициентом оптического поглощения, оптимальными для использования в солнечных элементах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4 + З252.8

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработана физическая модель процесса возбуждения с помощью конденсатора длинноволновых продольных и поверхностных акустических волн в металлах. Показано, что модель позволяет проводить расчет выходного сигнала и осуществлять выбор методов и средств для приема данных акустических колебаний при проведении дефектоскопии металлов. Установлена возможность возбуждения и приема длинноволновых акустических колебаний емкостными преобразователями. Разработано схемотехническое решение электронного устройства для реализации оригинального емкостного акустического метода дефектоскопии металлов.

Індекс рубрикатора НБУВ: З965-044.314

Рубрики:

Автоматика

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ