Наведено результати теоретичних та експериментальних досліджень з питань оптоелектроніки, сонячної енергетики і напівпровідникового матеріалознавства фотопровідних матеріалів. Визначено перспективні напрямки розвитку фотоелектроніки.

Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований по вопросам оптоэлектроники, солнечной энергетики и полупроводникового материаловедения фотопроводящих материалов. Определены перспективные направления развития фотоэлектроники.

Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень з питань оптоелектроніки, сонячної енергетики і напівпровідникового матеріалознавства фотопровідних матеріалів. Розглянуто питання застосування фотоакустичних методів для візуалізації просторового розподілу полів механічних напруг в кристалах карбіду кремнію. Проаналізовано вплив інтенсивності освітлення на кінетичні ефекти в монокристалах антимоніду кадмію. Викладено послідовні квантові підходи у теорії напівпровідникового суператома та кварконію у зовнішньому електромагнітному полі, а також до опису нових лазерних електрон-ядерних фотоявищ у молекулах. Висвітлено нову технологію обробки даних часової та просторової структур поля аерозольного забруднення і фрактальних параметрів для аерозольної атмосфери. Наведено оптимальні схеми лазерного фотоіонізаційного методу для приготування плівок надчистого складу.

Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований по вопросам оптоэлектроники, солнечной энергетики и полупроводникового материаловедения фотопроводимых материалов. Рассмотрены вопросы применения фотоакустических методов для визуализации пространственного распределения полей механических напряжений в кристаллах карбида кремния. Проанализировано влияние интенсивности освещения на кинетические эффекты в монокристаллах антимонида кадмия. Изложены последовательные квантовые подходы в теории полупроводникового суператома и кваркония во внешнем электромагнитном поле, а также к описанию новых лазерных электрон-ядерных фотоявлений в молекулах. Освещена новая технология обработки данных временной и пространственной структур поля аэрозольного загрязнения и фрактальных параметров для аэрозольной атмосферы. Представлены оптимальные схемы лазерного фотоионизационного метода для приготовления пленок сверхчистого состава.

Індекс рубрикатора НБУВ: Е.в68я43

Шифр НБУВ: ІВ209832 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено процеси релаксації нерівноважного заряду в бар'єрній області неідеального гетеропереходу. Сенсор на базі такого гетеропереходу навіть за кімнатної температури може досить довго зберігати сховане зображення, тому що воно сформовано нерівноважним зарядом, захопленим на глибокі пастки в області просторового заряду, де є значний рекомбінаційний бар'єр. Дослідження релаксації сигналу після вимикання збудливого світла виконано в чотирьох точках сенсора. Установлено, що в різних точках сигнал убуває з тим самим характерним часом релаксації, однак сильно відрізняється за абсолютною величиною. Це свідчить про те, що неоднорідність сенсора за фоточутливістю зумовлена істотною зміною уздовж поверхні концентрації пасткових центрів з тими самими параметрами, що визначають імовірність термічного викиду.

Ключ. слова: SnO_2, thin films, gas sensitivity, ethanol
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.1 + Г124.323.1

Рубрики:

Структурний аналіз твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Tin dioxide nanostructured thin films properties obtained by the photoluminescent methods are reported. As a result of the researches fulfilled the luminescence in the visible region of 577 nm and 642 nm was established which is not yet reported in the literature. The luminescent mechanism connected with the system of centers typical for nanostructured objects are analyzed. The radiation spectra types changes, caused by the thermal treatment of a nanoscale tin dioxide films were noticed, which may be connected with structural transformations. These transformations seems caused the luminescent mechanism change from the intercenters' type to the recombinational one.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.225

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Поверхневі явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На підставі досліджень за допомогою сучасних методів запропоновано фізико-математичну модель струмопереносу в структурах метал - кремній у межах термоелектронної, дрейфово-дифузійної та тунельно-резонансних теорій, яка базується на бар'єрних властивостях структурних дефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374 + З854-01

Рубрики:

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Зазначено, що основною вимогою до сучасних твердотільних перетворювачів оптичного зображення є сувора геометрична відповідність між вихідним відеосигналом та елементами оптичного зображення. Розроблено сенсор зображення на базі неідеального гетеропереходу та його системи сканування (СС), яка дозволяє виключити растрові перекручування та нестабільність растру під час сканування зображення. Максимальна розподільна спроможність СС визначається дифракційною межею фокусування смуги, що зчитує.

Досліджено фотолюминесцію (ФЛ) нанокристалів CdS, вирощених у різних полімерних матрицях. Показано, що природа центрів ФЛ нанокристалів є аналогічною центрам світіння в об'ємних кристалах CdS і пов'язана з їх власними дефектами. Виявлено, що желатинова матриця може виконувати активну роль у процесах збудження люмінесценції.

Пояснено процеси, що проходять у полімерній матриці композитних структур (провідний полімер)/(напівпровідникові нанокристали CdS) у разі введення різноманітних домішок. Основну роль у процесі перенесення носіїв у досліджуваних структурах грають, породжувані струмом, що проходить по молекулах поліпептиду, радикал-іони. Наявність ділянки негативного диференціального опору на вольт-амперних характеристиках можна пояснити збільшенням опору полімеру внаслідок зміни просторової конфігурації молекул желатини. Збільшення провідності полімеру (ПП) у випадку введення добавки ацетону пояснюється зменшенням опору полімеру за рахунок збільшення концентрації зв'язаної води та кількості можливих іонних каналів. У разі додавання хлориду натрію підвищення ПП пояснюється збільшенням кількості носіїв заряду.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На підставі проведених за допомогою сучасних методів досліджень приповерхневих шарів кремнію в системах кремній - діоксид кремнію показано їх складну структуру, а також залежність розмірів цих шарів від параметрів окиснення та характеристик кремнію.

Structural properties of tin oxide nanocryastalline films have been investigated by means of atomic force microscopy and X-ray diffraction methods. Surface morphology, roughness, crystalline size and lattice strain have been estimated. Current-voltage characteristics (I - V) have been measured at different temperatures. Temperature dependence of current has been studied. Activation energies have been evaluated and conductivity mechanism has been proposed.