Пошуковий запит: (<.>U=з852$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 59
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Марколенко П.Ю. Перемикання в тиристорних структурах при високому рівні інжекції і дії зовнішніх чинників (світло, магнітне поле, радіація) : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01. — О., 2006. — 16 с. — укp.
Рубрики:
|
2. |
Свеженцова К.В. Особливості формування та властивості нанокристалічного кремнію, сформованого методом хімічного травлення : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07. — К., 2006. — 17 с. — укp.
Рубрики:
|
3. |
Зуєв С.О. Особливості роботи арсенід-галієвих польових транзисторів Шоткі у напружених режимах : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01. — Х., 2007. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
4. |
Кудіна В. М. Природа флуктуаційних процесів у сучасних польових транзисторах : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10. — К., 2011. — 20 с.: рис., табл. — укp.
Рубрики:
|
5. |
Ткачук Рідинна епітаксія твердих розчинів сполук A4B6 для діодів Шотткі : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06. — Херсон, 2003. — 19 с. — укp.
Рубрики:
|
6. |
Осадчук О.В. Радіовимірювальні мікроелектронні перетворювачі на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором : Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.11.08. — Вінниця, 2002. — 35 с.: рис. — укp.
Рубрики:
|
7. |
Куракін А.М. Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/ GaN : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06. — К., 2006. — 19 с. — укp.
Рубрики:
|
8. |
Боцула О.В. Нестійкості струму в GaAs з ударною іонізацією та тунелюванням : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.04. — Х., 2007. — 16 с. — укp.
Рубрики:
|
9. |
Войцеховська О.В. Нелінійні властивості комбінованих транзисторних негатронів та пристрої автоматики на їх основі : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.13.05. — Вінниця, 2007. — 19 с. — укp.
Рубрики:
|
10. |
Фалєєва О. М. Моделювання субмікронних гетеротранзисторів з низькорозмірними системами : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.01. — К., 2011. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
11. |
Шеремет В.М. Омічні і бар'єрні контакти на основі диборидів титану і цирконію до нітридгалієвих мікрохвильових діодів : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.01. — К., 2010. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
12. |
Наумов А. В. Особливості латерального та вертикального транспорту електронів в квантових гетероструктурах на основі нітридів III групи : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2010. — 17 с. — укp.
Рубрики:
|
13. |
Ластівка Г.І. Оптимізація фотоелектричних характеристик гетероструктур на сонові моноселенідів індію та галію методом ЯКР : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01. — Чернівці, 2010. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
14. |
Стародубцев М.Г. Операційний контроль формоутворення напівпровідникових пластин у виробництві приладів електронної техніки : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06. — Х., 2004. — 20 с.: рис. — укp.
Рубрики:
|
15. |
Сундучков І.К. Розробка малошумливих підсилювачів міліметрового діапазону з використанням модифікованої моделі транзисторів з високою рухливістю електронів : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.12.13. — К., 2007. — 22 с. — укp.
Рубрики:
|
16. |
Шварц Ю.М. Фізичні основи напівпровідникових приладів екстремальної електроніки : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — К., 2004. — 31 с. — укp.
Рубрики:
|
17. |
Стець О.В. Фізичні властивості шарів селеніду кадмію, отриманих методом твердофазного заміщення : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07. — Чернівці, 2000. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
18. |
Дрозденко О.О. Фізика інтенсивних електронних пучків у високочастотних приладах О-типу : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01. — Суми, 2009. — 19 с. — укp.
Рубрики:
|
19. |
Стовповий М.О. Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GaAs : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06. — К., 2005. — 16 с.: рис — укp.
Рубрики:
|
20. |
Мотущук В.В. Явища переносу заряду та фотоелектричні процеси в тонкоплівкових CdTe діодних структурах : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Чернівці, 2005. — 20 с.: рис. — укp.
Рубрики:
|
| |