Пошуковий запит: (<.>A=Гайдар Г$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 59
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Баранський П. І. Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2013. - Вып. 48.
|
| 2. |
Баранський П. І. Фізичні властивості кристалів кремнію та германію в полях ефективного зовнішнього впливу. — Луцьк: Надстир'я, 2000
|
| 3. |
Долголенко А. П. Термический отжиг кластеров и точечных дефектов в n-Si (Cz), облученном быстрыми нейтронами реактора. — 2008 // Ядер. фізика та енергетика.
|
| 4. |
Гайдар Г. П. Термічний відпал радіаційних дефектів в n-Si, опроміненому швидкими нейтронами реактора. — 2008 // Укр. фіз. журн.
|
| 5. |
Баранський П. І. Теорія анізотропного розсіяння й актуальні задачі кінетики електронних процесів у багатодолинних напівпровідниках // Термоелектрика. - 2013. - № 2.
|
| 6. |
Гайдар Г. П. Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge в широкому інтервалі концентрацій // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - 15, № 1.
|
| 7. |
Баранський П. І. Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур. — 2005 // Наук. зап. НаУКМА. Сер. Фіз.-мат. науки.
|
| 8. |
Баранський П. І. Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів. — 2009 // Термоелектрика.
|
| 9. |
Долголенко А. П. Скорость введения дефектов в зависимости от дозы облучения p-Si быстрыми нейтронами реактора. — 2007 // Ядер. фізика та енергетика.
|
| 10. |
Вишневський І. М. Розвиток ядерних технологій в Інституті ядерних досліджень НАН України // Ядер. фізика та енергетика. - 2014. - 15, № 2.
|
| 11. |
Бєляєв О. Є. Радіаційно-, термічно- і деформаційно-індуковані ефекти в кремнії та германії : [монографія]. — Київ: Наукова думка, 2021. — 318, [1]: a-іл. - (Проєкт "Наукова книга"). — N 20221018.
|
| 12. |
Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук. — 2010 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 13. |
Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук. — 2010 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 14. |
Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук. — 2010 // Прикарпат. вісн. НТШ. Сер. Число.
|
| 15. |
Вишневський І. М. Радіаційні та ядерні технології в Інституті ядерних досліджень НАН України : монографія. — Київ, 2014
|
| 16. |
Баранський П. І. Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов'язаної зі специфікою прояву багатьох долин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2012. - Вып. 47.
|
| 17. |
Гайдар Г. П. Про деякі особливості анізотропії термоерс у недеформованих і пружно деформованих монокристалах n-Si та n-Ge // Термоелектрика. - 2015. - № 6.
|
| 18. |
Гайдар Г. П. Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки // Доп. НАН України. - 2020. - № 5.
|
| 19. |
Гайдар Г. П. Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2001
|
| 20. |
Баранський П. І. Неоднорідності напівпровідників і актуальні задачі міждефектної взаємодії в радіаційній фізиці і нанотехнології : Мононгр. — К.; Луцьк, 2006
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
