Пошуковий запит: (<.>A=Склярчук В$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 36
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Плевачук Ю. О. Електрофізичні властивості системи In - Te в області обмеженої розчинності компонентів. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
2. |
Склярчук В. М. Перехід напівпровідник - метал у розплавах на основі телуру. — 2001 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
3. |
Булавін Л. А. Перехід метал-неметал в іонно-електронних рідинах : монографія. — К.: АСМУ, 2008
|
4. |
Маслянчук О. Л. Енергетична роздільна здатність детекторів іонізуючого випромінювання на основі CdTe з термоелектричним охолодженням. — 2003 // Термоелектрика.
|
5. |
Склярчук В. М. Самоорганізація близького порядку в рідких бінарних системах. — 2005 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
6. |
Мудрий С. І. Структурні неоднорідності розтоплених евтектик. — 2005 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
7. |
Євтушенко А. І. Детектор ультрафіолетового випромінювання на основі ZnO, легованого азотом. — 2008 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
8. |
Склярчук В. М. Вплив нано- та мікроструктури на кінетичні властивості евтектичних систем. — 2008 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
9. |
Склярчук В. М. Розрахунок в'язкості розплавів системи Al - Cu. — 2008 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
10. |
Ковальчук М. Л. Фізико-хімічні та фізичні властивості кристалів і гетероструктур на базі радіаційностійких напівпровідників групи <$E bold roman {A sub 2 sup 3 B sub 3 sup 6}>. — 2008 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
11. |
Склярчук В. М. Вплив домішок перехідних металів на механізми переносу заряду в іонно-електронних розплавах : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.13. — Л., 2010
|
12. |
Булавін Л. А. Критичні явища розшарування в рідинах на Землі та в космосі : монографія. — К.: Наукова думка, 2011
|
13. |
Євтушенко А. І. Особливості фоточутливості структури Ni/n-ZnO:N/p-Si. — 2010 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
14. |
Євтушенко А. І. Перспективи створення ультрафіолетових фоторезисторів на основі плівок ZnO. — 2010 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
15. |
Мудрий С. І. Структура та електроопір припоїв Sn - Cu(Ag) у передкристалізаційному інтервалі температур. — 2010 // Фіз.-хім. механіка матеріалів.
|
16. |
Склярчук В. Структура та фізичні властивості розплавів Pb - Sn. — 2010 // Укр. фіз. журн.
|
17. |
Косяченко Л. А. <$E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Mn} sub x roman Te}> як матеріал для детекторів X- і <$E bold gamma>-випромінювання. — 2010 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
18. |
Плевачук Ю. О. Фізичні властивості іонної рідинної системи, що утворилась після плавлення евтектики NaF - LiF - LaF3. — 2012 // Ядер. фізика та енергетика.
|
19. |
Євтушенко А. І. Ступінь самокомпенсації ZnO, співлегованого азотом та алюмінієм. — 2012 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
20. |
Маслянчук О. Л. Високоефективні телурид-кадмієві детектори X- і <$E bold gamma>-випромінювання // Укр. фіз. журн.. - 2014. - 59, № 1.
|
| |