Пошуковий запит: (<.>U=В379.251.4$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 93
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Баран Н. П. Исследование процесса старения пористого кремния. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
2. |
Трубицын Ю. В. Усовершенствование метода бестигельной зонной очистки кремния. — Запорожье, 2000 // Металлургия.
|
3. |
Шепель Л. Г. Влияние вакуум-термической обработки теплового узла на концентрацию остаточного углерода в GaAs при выращивании кристаллов методом Чохральского. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
4. |
Сольский И. М. Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров. — 2005 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
5. |
Сукач Г. О. Фізико-математичне моделювання процесів нітридизації галієвих сполук <$E bold roman {A sup 3 B sup 5}> в радикалах азоту. — 2004 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
6. |
Константинова Т. Е. Нанопорошки на основе диоксида циркония: получение, исследование, применение. — 2004 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
7. |
Мужик Г. М. Робота виходу поруватого кремнію після термічного відпалу в умовах високого вакууму. — 2006 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
8. |
Крушельницька Т. Д. Термодинаміка кристалізації плівок селенідів індію в моделі граткового газу. — 2008 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
9. |
Ленькин О. В. Вплив радіаційно-кондуктивного теплообміну на теплові режими вирощування оксидних кристалів з розплаву : Автореф. дис... канд. техн. наук. — К., 2007
|
10. |
Курак В. В. Гетероструктури AlxGa1 - xAs - GaAs для ФЕП слабоконцентрованого сонячного випромінювання : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06. — Херсон, 1999
|
11. |
Червоний І. Ф. Наукове обгрунтування і розробка технології монокристалів кремнію методом спеціальної електрометалургії (безтигельною зонною плавкою) : Автореф. дис... д- ра техн. наук : 05.16.03. — Запоріжжя, 1999
|
12. |
Рибак О. В. Розробка технології вирощування і властивості монокристалів PbI2, легованих Ag, Cu, Cd, Mn, Fe, Ni : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01. — Л., 1999
|
13. |
Попович В. Д. Вплив легування хлором на фізичні властивості монокристалів телуриду кадмію, вирощених методом сублімації : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07. — К., 2010
|
14. |
Сичікова Я. О. Дефекти структури та процеси пороутворення у фосфіді індію : монографія. — Донецьк: Юго-Восток, 2011
|
15. |
Каримов А. В. Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
16. |
Долженкова О. Ф. Монокристали боратів: реальна структура та фізичні властивості : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07. — Х., 2010
|
17. |
Петрусь Р. Ю. Створення та фотоелектричні властивості структур на основі багатокомпонентних халькогенідів : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.18. — Івано-Франківськ, 2010
|
18. |
Лебедь О. М. Технологічні методи керування структурою епітаксійних шарів і монокристалів GAAS : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06. — Х., 2011
|
19. |
Гасинець С. М. Вплив термічної передісторії на процеси неізотермічної кристалізації склоподібного та аморфного селену. — 2010 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
20. |
Яцишин Б. П. Дослідження електропровідних характеристик закристалізованих плівок ReFe2. — 2011 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| |