РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (10)Автореферати дисертацій (3)
Пошуковий запит: (<.>U=З852.2-01<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 34
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Solovan M. M. Influence of the NaCl dielectric layer on the electrical properties of graphite/n-Cd1 - xZnxTe Schottky diodes fabricated by transferring drawn graphite // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2021. - 13, № 4.
2.

Кременецька Я. А. Використання ефектів сильних полів в нанорозмірних діодних структурах // Наук. зап. Укр. н.-д. ін-ту зв'язку. - 2013. - № 1.
3.

Стороженко И. П. О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs. — 2011 // Радиофизика и электроника.
4.

Міхеєнко Л. А. Метрологічні характеристики дифузного випромінювача на основі інтегруючої сфери з світловипромінюючими діодами. — 2011 // Наук. вісті НТУУ "КПІ".
5.

Остренко В. С. Визначення додатку до значення теплового опору силових напівпровідникових приладів. — 2010 // Електротехніка та електроенергетика.
6.

Наумов А. В. Особливості латерального та вертикального транспорту електронів в квантових гетероструктурах на основі нітридів III групи : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2010
7.

Кудрик Я. Я. Особенности температурной зависимости тока насыщения прямосмещенных диодов Шоттки TiBx - n - 6HSiC. — 2010 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
8.

Болтовец Н. С. Формирование мезаструктур 4НSiC p-i-n-диодов методом ионно-плазменного травления. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
9.

Pavljuk S.  Thermal conduction anisotropy of the diode structures. — 2009 // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка.
10.

Юрченко Л. В. Моделирование процессов генерации серии импульсов диодами Ганна в линиях задержки с параллельным соединением. — 2009 // Радиофизика и электроника.
11.

Прохоров Э. Д. Умножение частоты при ударной ионизации в диодах с междолинным переносом электронов на основе AlN, InN. — 2009 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка.
12.

Торба Г. О. Дослідження емпіричних законів розподілу імовірностей імпульсних сигналів шумових діодів. — 2009 // Системи озброєння і військ. техніка.
13.

Камалов А. Б. Изменение эффективной толщины переходного слоя, стимулированного СВЧ излучением, в контактах Mo - GaAs. — 2009 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
14.

Камалов А. Б. Деградационные явления в диодах Шоттки Au - Pt - GaAs, стимулированные активными обработками. — 2008 // Укр. фіз. журн.
15.

Боцула О. В. Умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах. — 2008 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка.
16.

Ільченко В. В. Моделювання рекомбінаційного струму в діодах Шотткі через шари квантових точок двох різних типів. — 2008 // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки.
17.

Піддячий В. І. Високоефективне перетворення частоти на діодах з бар'єром Шотткі та малошумливі приймачі міліметрового діапазону : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук. — Х., 2007
18.

Фелінський Г. С. Експериментальні дослідження напівпровідникових лазерних діодів для акусто-оптичних процесорів НВЧ радіосигналів. — 2007 // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки.
19.

Баранов В. В. Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа. — 2007 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
20.

Стороженко И. П. Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с <$Ebold {{ roman Al} sub x { roman Ga} sub {1~-~x } roman As}> и <$Ebold {{ roman GaP} sub x { roman As} sub {1~-~x } }> катодами. — 2007 // Радиофизика и электроника.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського