Пошуковий запит: (<.>A=Фодчук І$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 26
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | Фізика. Електроніка. — Чернівці: Рута, 2005. — 112 с. - (Наук. вісн. Чернів. ун-ту; Вип. 237).
|
2. | Фізика. Електроніка. — Чернівці: Рута, 2005. — 112 с. - (Наук. вісн. Чернів. ун-ту; Вип. 261).
|
3. | Фізика. Електроніка. — Чернівці: Рута, 2005. — 112 с. - (Наук. вісн. Чернів. ун-ту; Вип. 268).
|
4. |
Фодчук І. М. Діагностика поверхні твердого тіла. Загальний стан проблеми та X-променеві методи : навч. посіб. — Чернівці: Рута, 2007
|
5. |
Фодчук І. М. Вплив зосередженої сили на формування товщинних осциляцій інтенсивності рентгенівських променів. — 2001 // Укр. фіз. журн.
|
6. |
Фодчук І. М. Рентгенівська <$E bold LLL>-інтерферометрія деформованих зосередженою силою кристалів. — 2002 // Укр. фіз. журн.
|
7. |
Кшевецький О. С. Рентгенівська структурна діагностика термоелектричних матеріалів. — 2002 // Термоелектрика.
|
8. |
Фодчук І. М. Чотирихвильове розсіяння X-променів у Ge з одновимірними полями механічних напружень. — 2002 // Укр. фіз. журн.
|
9. |
Шпак А. П. Основи динамічної дифрактометрії мікродефектів у кожному шарі гетероструктури з квантовою ямою та ефектів сегрегації і взаємодифузії. — 2005 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
10. |
Оліховський С. Й. Ефекти дифузного розсіяння від дефектів у багатошарових структурах з квантовою ямою. — 2005 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
11. |
Гуцуляк Б. І. Аномальний низькочастотний гістерезис динамічного модуля зсуву в кремнії. — 2005 // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка.
|
12. |
Баловсяк С. В. Використання штучних нейронних мереж для визначення параметрів напівпровідників за даними Х-променевих методів. — 2008 // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка.
|
13. |
Фодчук І. М. Вплив макродеформацій на Х-променеве топографічне зображення дислокацій. — 2010 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
14. |
Фодчук І. М. Вплив опромінення високоенергетичними електронами на дефектну структуру монокристалів Cz - Si згідно з високороздільною трикристальною Х-променевою дифрактометрією. — 2008 // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка.
|
15. |
Новіков С. М. Дифракційні зображення скупчень з крайових дислокацій на секційних Х-променевих топограмах. — 2010 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
16. |
Заплітний Р. А. Процеси дефектоутворення в епітаксійних структурах СdHgTe при імплантації іонами As. — 2006 // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка.
|
17. |
Фодчук І. М. Рентгенова дифрактометрія змін мікродефектної структури кристалів кремнію після опромінення високоенергетичними електронами. — 2010 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
18. |
Докторович І. В. Спектральний розподіл потужності випромінювання ртутних ламп. — 2007 // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка.
|
19. |
Власов А. П. Твердофазне легування елементами V групи періодичної таблиці епітаксійних шарів CdxHg1-xTe. — 2005 // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка.
|
20. |
Микитюк Т. І. Оптимізація оптичних характеристик тандемного сонячного елемента CdMgTe/Cu(In,Ga)Se2 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2014. - 11, № 4.
|
| |