|
РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
|
|
|
Бази даних
|
Реферативна база даних - результати пошуку
|
|
 Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб |
Пошуковий запит: (<.>A=Yodgorova D$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
|
| 1. |
Karimov A. V. Research of structures corrugated photoreceiving surface // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 4.
| | 2. |
Karimov A. V. Photoconvertors with microrelief p-n junction on a basis of p-AlxGa1-xAs - p-GaAs - n-GaAs - <$E bold n sup +>-GaAs heterojunction // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 1.
| | 3. |
Dmitruk N. L. Investigation of the effect of external factors (heating, exposition to radiation) on the electrophysical parameters of barrier heterostructures p-AlGaAs-p-GaAs-n-GaAs // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 1.
| | 4. |
Yodgorova D. M. Features of growing epitaxial layers of firm solutions based on indium and aluminium arsenides // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 4.
| | 5. |
Yodgorova D. M. Determination of potential distribution in a three-barrier structure // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 3.
| | 6. |
Yodgorova D. M. Research of the photo-voltaic effect in the two-base <$E bold roman {Ag-N sup 0 AlGaAs-n sup + GaAs-n sup 0 GaInAs-Au}> structure with various thicknesses of a base // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 1.
| | 7. |
Yodgorova D. M. Spectral photosensitivity of the <$E bold roman {m-n sup 0 -n}> structure on the basis of epitaxial layers // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 1.
| | 8. |
Bebitov R. R. Dependence of the accuracy of the silicon diode temperature sensors for cryogenic thermometry on the spread of their parameters // Фізика низ. температур. - 2023. - 49, № 2.
| | 9. |
Bebitov R. R. Distribution of impurities in base-depleted region of diode temperature sensor // Фізика низ. температур. - 2024. - 50, N 5 (спец. вип.).
|
|
|
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
|
НОВІ
ПОШУК
