![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Гайдар Г$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 59
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Баранський П. І. З'ясування причини зниження параметра анізотропії iK/i = musubperpendicular/sub / musub||/sub в In/i - Ge при підвищенні внеску домішкового розсіяння / П. І. Баранський, Є. Ф. Венгер, Г. П. Гайдар // Доп. НАН України. - 1999. - № 9. - С. 84-86. - Бібліогр.: 3 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.247
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Баранський П. І. Фізичні властивості кристалів кремнію та германію в полях ефективного зовнішнього впливу / П. І. Баранський, А. В. Федосов, Г. П. Гайдар. - Луцьк : Надстир'я, 2000. - 278 c. - Бібліогр.: 407 назв. - укp.Розглянуто вплив електричних, магнітних і теплових полів на електричні, термоелектричні, гальвано- і термомагнітні явища в технічно актуальних багатодолинних напівпровідниках (типу n-Si та n-Ge). Детально проаналізовано поведінку легувальних (і залишкових) домішок і власних дефектів, що створюють в багатодолинних напівпровідниках центри мілкого і глибокого залягань, досліджено їх реакційну та радіаційну обробку і термовідпали за різних умов. Всебічно висвітлено вплив гідростатичного і направленого тиску на електричні, оптичні, гальваномагнітні та термомагнітні явища в технічно актуальних кристалах і проведено необхідні зіставлення дослідних даних з теорією анізотропного розсіяння, яка розкриває фізичний зміст досліджених явищ на якісному рівні, кількісно їх описує. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА599507 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Гайдар Г. П. Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Г. П. Гайдар; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2001. - 20 c. - укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.022
Шифр НБУВ: РА313327 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Баранський П. І. Мікрогравітація і надвисокий вакуум - специфічні компоненти технологічного середовища і нові можливості напівпровідникової технології / П. І. Баранський, В. М. Бабич, С. В. Свєчніков, Г. П. Гайдар, Ю. Г. Птушинський // Косм. наука і технологія. - 2002. - 8, № 4. - С. 96-99. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.Розглянуто роль мікрогравітації (залишкових мікроприскорень), а також надвисокого вакууму в ході вирощування напівпровідникових кристалів за допомогою безампульної безтигельної зонної плавки на борту космічного корабля за умов орбітального польоту. Обидва розглянуті фактори мають дуже суттєве значення для космічної технології напівпровідникових матеріалів. Індекс рубрикатора НБУВ: О6,1 + К345.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14846 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Баранський П. І. Напівпровідникове матеріалознавство: досягнення, принципові і технологічні проблеми, перспективи / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Термоелектрика. - 2003. - № 2. - С. 4-15. - Бібліогр.: 29 назв. - укp.Проаналізовано ускладнення, що виникають під час зіставлення дослідних даних із результатами теоретичного опису нанорозмірних структур у межах зонної теорії твердого тіла. Обговорено пошук шляхів поліпшення якості нанорозмірних структур типу надграток, квантових дротів і квантових точок стосовно потреб термоелектричного перетворення теплової енергії в електричну в області так званої малої енергетики. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Баранський П. І. Мікроаналіз внутрішньої структури квантових точок у зв'язку з оцінками IZD термоелектроперетворювачів, створюваних на основі тривимірних надграток / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Термоелектрика. - 2004. - № 4. - С. 55-60. - Бібліогр.: 13 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З842.22-53-044
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Баранський П. І. Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар, П. Г. Литовченко // Наук. зап. НаУКМА. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2005. - Т.39. - С. 58-63. - Бібліогр.: 20 назв. - укp.Зосереджено увагу на аналізі реальних умов, які виникають на межі підкладинки й епітаксійно нарощуваного шару. Аналіз проведено з урахуванням того, що підкладинки, виготовлені навіть з найкраще освоєних матеріалів, до яких, безумовно, можна віднести об'ємні, бездислокаційні й нелеговані зонновирощені (FZ) монокристали кремнію, неминуче мають у своєму об'ємі мікродефекти різної природи. Технологічні проблеми, що виникають при епітаксійному нарощуванні моно- чи гетерошару на підкладинку, пов'язані з тим, що об'ємні мікродефекти підкладинки мають розміри в межах від одиниць до сотень нанометрів і їх слід (проекція) виходить, природно, на актуальну для епітаксії поверхню, яка розділяє підкладинку з епітаксійно нарощуваним шаром. Ключ. слова: бездислокаційний, нелегований об'ємний монокристал, підкладинка, епітаксійне вирощування, напівпровідникова наноструктура Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З843.31
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69184/Фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Баранський П. І. Електрично малоактивні домішки і проблема надвисокої чистоти напівпровідникових матеріалів Si і Ge: (Огляд) / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар, О. П. Долголенко, П. Г. Литовченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2005. - Вып. 40. - С. 34-46. - Бібліогр.: 57 назв. - укp.Проаналізовано проблеми, пов'язані з необхідністю суттєвого підвищення чистоти кристалів Si від залишкових електрично малоактивних (за звичайних умов) домішок типу кисень (O), вуглець (C), азот (N), водень (H), аргон (Ar) і гелій (He). Адже деякі з названих елементів, наприклад атоми кисню, внаслідок термообробок, які є необхідними ланками технологічного процесу, пов'язаного з виготовленням напівпровідникових приладів, переходять із електрично пасивного стану в електрично активний (ЕА) стан. Інші з названих елементів (наприклад, вуглець) у процесі електронного та нейтронного опромінювання забезпечують утворення комплексів, які також є ЕА. Кристали кремнію, призначені для створювання детекторів, що використовуються в ядерній спектроскопії, взагалі мають бути вільними від будь-яких домішок, бо навіть електрично нейтральні домішки будуть розсіювати електрони, зменшуючи їх рухливість, як наслідок, втрачається швидкодія детектора та знижується його роздільна здатність. Існують і інші сфери використання кристалів Si та хімічних елементів, для яких рівень граничної чистоти має вирішальне значення, наприклад сфера трансмутаційного легування, деякі наукові проблеми та конкретні задачі метрології і стандартизації, а також зростаючі вимоги до чистоти препаратів у біології, фармацевтичній промисловості та медицині. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Баранський П. І. Неоднорідності напівпровідників і актуальні задачі міждефектної взаємодії в радіаційній фізиці і нанотехнології : Мононгр. / П. І. Баранський, А. В. Федосов, Г. П. Гайдар. - К.; Луцьк, 2006. - 315 c. - Бібліогр.: с. 273-309. - укp.Розглянуто вплив різних дефектів кристалічної гратки, зокрема, дефекти радіаційного походження, неоднорідності структури та хімічного складу таких нанооб'єктів, як надгратки, квантові дроти (нитки) та квантові точки на кінетичні, оптичні, люмінесценті та інші явища, що розвиваються в названих об'єктах. У процесі розгляду композитних нанооб'єктів, типу одновимірних і тривимірних надграток, які самі (за своєю будовою) являють собою структуровані неоднорідності, акцентовано увагу на прояви відхилень від чіткої періодичності цих структур, нестандартність квантових точок за їх розмірами та формою. Рассмотрено влияние разных дефектов кристаллической решетки, в частности, дефекты радиационного происхождения, неоднородности структуры и химического состава таких нанообъектов, как сверхрешетки, квантовые проволоки (нити) и квантовые точки на кинетические, оптические, люминесцентные и другие явления, развивающиеся в названных объектах. В процессе рассмотрения композитных нанообъектов, типа одномерных и трехмерных сверхрешеток, которые сами (по своему строению) представляют собой структурированные неоднородности, акцентировано внимание на проявлениях отклонений от четкой периодичности этих структур, нестандартности квантовых точек по их размерам и форме. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,021
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВС43630 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Долголенко А. П. Скорость введения дефектов в зависимости от дозы облучения p-Si быстрыми нейтронами реактора / А. П. Долголенко, М. Д. Варенцов, Г. П. Гайдар, П. Г. Литовченко // Ядер. фізика та енергетика. - 2007. - № 2. - С. 89-96. - Библиогр.: 11 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В381 + З42
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Баранський П. І. На шляху від міфів до реалій в освоєнні високоефективних термоелектроперетворювачів, створюваних на основі використання досягнень нанофізики і нанотехнологій / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Термоелектрика. - 2007. - № 2. - С. 46-54. - Бібліогр.: 60 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Варенцов М. Д. Відпал кластерів дефектів у зразках Si та $E bold roman {Si symbol ... Ge symbol ъ}, вирощених методом Чохральського / М. Д. Варенцов, Г. П. Гайдар, О. П. Долголенко, П. Г. Литовченко // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 4. - С. 372-377. - Бібліогр.: 20 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Долголенко А. П. Термический отжиг кластеров и точечных дефектов в n-Si (Cz), облученном быстрыми нейтронами реактора / А. П. Долголенко, М. Д. Варенцов, Г. П. Гайдар, П. Г. Литовченко // Ядер. фізика та енергетика. - 2008. - № 2. - С. 73-80. - Библиогр.: 27 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.8 + В372.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Гайдар Г. П. Термічний відпал радіаційних дефектів в IBnD-Si, опроміненому швидкими нейтронами реактора / Г. П. Гайдар, О. П. Долголенко, П. Г. Литовченко // Укр. фіз. журн. - 2008. - 53, № 7. - С. 691-696. - Бібліогр.: 24 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + З46-012
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Баранський П. І. Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Термоелектрика. - 2009. - № 1. - С. 56-59. - Бібліогр.: 20 назв. - укp.Проаналізовано властиві нанооб'єктів (типу квантових точок, квантових ниток і т. п.) недосконалості, які необхідно враховувати в разі розробки наноструктурних матеріалів, призначених для використання в мікроелектроніці, термоелектроперетворювачах нового покоління, а також в інших областях електронної техніки. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236
Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Прикарпат. вісн. НТШ. Сер. Число. - 2010. - № 1. - С. 110-126. - Бібліогр.: 50 назв. - укp.Зазначено, що особливості розмірів і структури нанооб'єктів обумовлюють низку їх специфічних властивостей. Так, високорозвинена поверхня призводить до підвищеної хімічної активності; високий рівень неоднорідності спричиняє відсутність сталої гратки та порушення трансляційної симетрії; величина власних варіацій потенціалу на відстанях сумірних з міжатомними ставить під сумнів обгрунтованість застосування методу ефективних мас тощо. Наявність гігантських механічних напружень і невідповідність коефіцієнтів термічного розширення можуть стимулювати процеси структурних порушень у разі зміни температурних умов. Розглянуто застережні заходи з метою зниження темпів процесів деградації наноструктур. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.25 + Ж364.206.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж73616 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Баранський П. І. Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому IBnD-кремнії / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доп. НАН України. - 2010. - № 11. - С. 77-80. - Бібліогр.: 10 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Гайдар Г. П. Епітаксійне вирощування нанооб'єктів і умови прояву ефекту самоорганізації / Г. П. Гайдар // Доп. НАН України. - 2010. - № 1. - С. 98-102. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.Проаналізовано умови прояву ефекту самоорганізації у процесі вирощування нанооб'єктів (типу нанокластерів або квантових точок) із використанням методу молекулярно-променевої епітаксії. Показано, що за такого способу вирощування недоцільно намагатися досягти термодинамічно-рівноважних умов, а потрібно оптимізувати температурний режим росту для того, щоб одночасно забезпечити як ефективний прояв процесу самоорганізації, так і запобігти появі дислокацій невідповідності на межі твердої та газової фаз. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236
Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. - 2010. - 11, № 3. - С. 703-711. - Бібліогр.: 50 назв. - укp.Особливості розмірів та структури нанооб'єктів обумовлюють ряд їх специфічних властивостей. Так, високорозвинена поверхня призводить до підвищеної хімічної активності; високий рівень неоднорідності спричиняє відсутність сталої гратки і порушення трансляційної симетрії; величина власних варіацій потенціалу на відстанях, сумірних з міжатомними, ставить під сумнів обгрунтованість застосування методу ефективних мас; і т. ін. Наявність гігантських механічних напружень і невідповідність коефіцієнтів термічного розширення можуть стимулювати процеси структурних порушень за умови зміни температурних умов. Обговорено застережні заходи з метою зменшення темпів процесів деградації наноструктур. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.236 + В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 69-75. - Бібліогр.: 25 назв. - укp.Розглянуто основні особливості нанооб'єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У випадках, коли вияв термічної і радіаційної нестійкості усунути не можна (а такі випадки в практиці радіаційної фізики є домінуючими), розглянуто шляхи мінімізації впливу цих нестабільностей на основні властивості напівпровідникових НО. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.25
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|