Розглянуто вплив електричних, магнітних і теплових полів на електричні, термоелектричні, гальвано- і термомагнітні явища в технічно актуальних багатодолинних напівпровідниках (типу n-Si та n-Ge). Детально проаналізовано поведінку легувальних (і залишкових) домішок і власних дефектів, що створюють в багатодолинних напівпровідниках центри мілкого і глибокого залягань, досліджено їх реакційну та радіаційну обробку і термовідпали за різних умов. Всебічно висвітлено вплив гідростатичного і направленого тиску на електричні, оптичні, гальваномагнітні та термомагнітні явища в технічно актуальних кристалах і проведено необхідні зіставлення дослідних даних з теорією анізотропного розсіяння, яка розкриває фізичний зміст досліджених явищ на якісному рівні, кількісно їх описує.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто вплив різних дефектів кристалічної гратки, зокрема, дефекти радіаційного походження, неоднорідності структури та хімічного складу таких нанооб'єктів, як надгратки, квантові дроти (нитки) та квантові точки на кінетичні, оптичні, люмінесценті та інші явища, що розвиваються в названих об'єктах. У процесі розгляду композитних нанооб'єктів, типу одновимірних і тривимірних надграток, які самі (за своєю будовою) являють собою структуровані неоднорідності, акцентовано увагу на прояви відхилень від чіткої періодичності цих структур, нестандартність квантових точок за їх розмірами та формою.

Рассмотрено влияние разных дефектов кристаллической решетки, в частности, дефекты радиационного происхождения, неоднородности структуры и химического состава таких нанообъектов, как сверхрешетки, квантовые проволоки (нити) и квантовые точки на кинетические, оптические, люминесцентные и другие явления, развивающиеся в названных объектах. В процессе рассмотрения композитных нанообъектов, типа одномерных и трехмерных сверхрешеток, которые сами (по своему строению) представляют собой структурированные неоднородности, акцентировано внимание на проявлениях отклонений от четкой периодичности этих структур, нестандартности квантовых точек по их размерам и форме.

Висвітлено перші кроки фізики та техніки напівпровідників, засновником і організатором розвитку яких у столичних навчальних (КДУ ім. Т. Г. Шевченка) та наукових закладах (ІФ АН УРСР, а з 1960 р. - Інституту напівпровідників АН УРСР) України був Вадим Євгенович Лашкарьов.

Розглянуто роль мікрогравітації (залишкових мікроприскорень), а також надвисокого вакууму в ході вирощування напівпровідникових кристалів за допомогою безампульної безтигельної зонної плавки на борту космічного корабля за умов орбітального польоту. Обидва розглянуті фактори мають дуже суттєве значення для космічної технології напівпровідникових матеріалів.

Проаналізовано ускладнення, що виникають під час зіставлення дослідних даних із результатами теоретичного опису нанорозмірних структур у межах зонної теорії твердого тіла. Обговорено пошук шляхів поліпшення якості нанорозмірних структур типу надграток, квантових дротів і квантових точок стосовно потреб термоелектричного перетворення теплової енергії в електричну в області так званої малої енергетики.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Висвітлено проблеми планування та практичної реалізації довготривалих космічних подорожей у міжпланетному просторі. На підставі аналізу сучасного стану науки та техніки визначено електромагнітний захист від радіації космічного корабля (КК), призначеного для довготривалих космічних подорожей, його екіпажу, засобів регенерації біомаси та кисню (у формі космічних оранжерей чи мікроорганізмів) і напівпровідникової елементної бази бортових ЕОМ, систем автоматики та радіотелекомунікації можна забезпечити лише за рахунок використання матеріалів майбутнього, які будуть характеризуватися "кімнатнотемпературною" надпровідністю, високими значеннями критичних магнітних полів, достатньою механічною надійністю та радіаційною стійкістю; безпечне та прийнятне функціонування членів екіпажу та інших об'єктів живої природи, як і напівпровідникової елементної бази відповідальних технічних вузлів і засобів автоматики числових бортових систем, може бути забезпечене лише шляхом створення магнітного оточення на борту КК, наближеного до того, яке існує за земних умов. Тобто, кабіна КК має бути сама надійно захищеною від впливу сильного магнітного поля (кілька сотен мілітесла), яке одночасно буде захисним щитом для КК від космічної (переважно протонної) радіації.

Індекс рубрикатора НБУВ: З842.22-53-044

Рубрики:

Вимірювання високочастотних та імпульсних струмів і напруги

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано проблеми, пов'язані з необхідністю суттєвого підвищення чистоти кристалів Si від залишкових електрично малоактивних (за звичайних умов) домішок типу кисень (O), вуглець (C), азот (N), водень (H), аргон (Ar) і гелій (He). Адже деякі з названих елементів, наприклад атоми кисню, внаслідок термообробок, які є необхідними ланками технологічного процесу, пов'язаного з виготовленням напівпровідникових приладів, переходять із електрично пасивного стану в електрично активний (ЕА) стан. Інші з названих елементів (наприклад, вуглець) у процесі електронного та нейтронного опромінювання забезпечують утворення комплексів, які також є ЕА. Кристали кремнію, призначені для створювання детекторів, що використовуються в ядерній спектроскопії, взагалі мають бути вільними від будь-яких домішок, бо навіть електрично нейтральні домішки будуть розсіювати електрони, зменшуючи їх рухливість, як наслідок, втрачається швидкодія детектора та знижується його роздільна здатність. Існують і інші сфери використання кристалів Si та хімічних елементів, для яких рівень граничної чистоти має вирішальне значення, наприклад сфера трансмутаційного легування, деякі наукові проблеми та конкретні задачі метрології і стандартизації, а також зростаючі вимоги до чистоти препаратів у біології, фармацевтичній промисловості та медицині.

Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5

Рубрики:

Металургія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Зосереджено увагу на аналізі реальних умов, які виникають на межі підкладинки й епітаксійно нарощуваного шару. Аналіз проведено з урахуванням того, що підкладинки, виготовлені навіть з найкраще освоєних матеріалів, до яких, безумовно, можна віднести об'ємні, бездислокаційні й нелеговані зонновирощені (FZ) монокристали кремнію, неминуче мають у своєму об'ємі мікродефекти різної природи. Технологічні проблеми, що виникають при епітаксійному нарощуванні моно- чи гетерошару на підкладинку, пов'язані з тим, що об'ємні мікродефекти підкладинки мають розміри в межах від одиниць до сотень нанометрів і їх слід (проекція) виходить, природно, на актуальну для епітаксії поверхню, яка розділяє підкладинку з епітаксійно нарощуваним шаром.

Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою рентгенодифрактометра "X'Pert PRO MRD XL" досліджено електропольове структурне впорядкування кристалічної гратниці кристалів Si за умов їх вирощування за допомогою методу зонного топлення за наявності зовнішнього електричного поля на розтопленій зоні. Обговорено питання про внутрішні механічні напруження, які виникають за рахунок невідповідності сталих кристалічних гратниць і різних коефіцієнтів теплового розширення матеріалів, що контактують між собою в нанооб'єктах типу надгратниць і квантових точок.

Проаналізовано властиві нанооб'єктів (типу квантових точок, квантових ниток і т. п.) недосконалості, які необхідно враховувати в разі розробки наноструктурних матеріалів, призначених для використання в мікроелектроніці, термоелектроперетворювачах нового покоління, а також в інших областях електронної техніки.

Особливості розмірів та структури нанооб'єктів обумовлюють ряд їх специфічних властивостей. Так, високорозвинена поверхня призводить до підвищеної хімічної активності; високий рівень неоднорідності спричиняє відсутність сталої гратки і порушення трансляційної симетрії; величина власних варіацій потенціалу на відстанях, сумірних з міжатомними, ставить під сумнів обгрунтованість застосування методу ефективних мас; і т. ін. Наявність гігантських механічних напружень і невідповідність коефіцієнтів термічного розширення можуть стимулювати процеси структурних порушень за умови зміни температурних умов. Обговорено застережні заходи з метою зменшення темпів процесів деградації наноструктур.

Розглянуто основні особливості нанооб'єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У випадках, коли вияв термічної і радіаційної нестійкості усунути не можна (а такі випадки в практиці радіаційної фізики є домінуючими), розглянуто шляхи мінімізації впливу цих нестабільностей на основні властивості напівпровідникових НО.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (Р) і фонової (О) домішок в монокристалах Si, одержаних за допомогою методу електронно-променевої безтигельної зонної плавки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51 + В379.274

Рубрики:

Термоелектричні явища

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ