Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Знайдено в інших БД:

Книжкові видання та компакт-диски (2)

Журнали та продовжувані видання (1)

Пошуковий запит: (<.>A=Круковський С$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 17
Представлено документи з 1 до 17

Категорія:

Литовченко П. Г.
Деградація $Ebold { roman Al sub x roman Ga sub {1~-~x } }As/GaAs гетеростуктур у $Egamma-полі $Eroman bold {Co sup 60 } / П. Г. Литовченко, В. П. Тартачник, В. Я. Опилат, С. О. Каневський, І. В. Петренко, О. П. Шахов, Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов, С. І. Круковський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - 4, № 3. - С. 474-480. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.

Ключ. слова: AlxGa1-хAs, світлодіоди, (-опромінення, деградація
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:
Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Заячук Д. М.
Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії / Д. М. Заячук, С. І. Круковський, І. О. Мрихін // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2005. - № 532. - С. 24-28. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З86-531.2 + В379.2

Рубрики:
Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)
Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Круковський С. І.
Механізм очистки епітаксійних шарів GaAs, InGaAsP під впливом комплексного легування розплавів рідкісноземельними елементами та алюмінієм в технології РФЕ / С. І. Круковський, А. О. Федорчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 4. - С. 751-762. - Бібліогр.: 25 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33-06

Рубрики:
Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Заячук Д. М.
Особливості одержання лазерних структур GaAs/AlGaAs методом РФЕ під впливом Yb / Д. М. Заячук, С. І. Круковський, І. О. Мрихін, О. І. Іжнін, Д. Л. Вознюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - 6, № 4. - С. 661-665. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.

Ключ. слова: рідинно-фазна епітаксія, арсенід галію, тверді розчини, домішки, рідкісноземельні елементи, подвійні гетероструктури, лазерна генерація
Індекс рубрикатора НБУВ: З86-531.3

Рубрики:
Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Мрихін І. О.
Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним IBp - nD-переходом / І. О. Мрихін, Д. М. Заячук, С. І. Круковський, О. І. Іжнін, Ю. С. Михащук, І. І. Григорчак // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2007. - № 592. - С. 80-87. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:
Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Заячук Д. М.
Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії / Д. М. Заячук, С. І. Круковський, Ю. С. Михащук // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2009. - № 646. - С. 71-76. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З861

Рубрики:
Оптоелектроніка

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Круковський С. І.
Комплексно леговані структури на основі $Eroman bold {A sub 3 B sub 5 } : Автореф. дис... д-ра техн. наук / С. І. Круковський; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 2006. - 39 c. - укp.

Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: РА346621 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Ваків М. М.
Дослідження фазових рівноваг в системі Bi - InSb / М. М. Ваків, С. І. Круковський, Р. С. Круковський // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2011. - № 708. - С. 105-109. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.

Експериментально за допомогою методу термогравітаційного аналізу досліджено лінію ліквідуса в системі Bi - InSb в інтервалі температур 450 - 300 градусів за Цельсієм. Експериментальні дані щодо розчинності стібіуму у вісмутових розчинах-розплавах добре узгоджуються з розрахунковими, визначеними згідно з методом, який базується на строгій термодинамічній моделі конденсованого стану.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-03

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Ваків М. М.
Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi - InAs / М. М. Ваків, С. І. Круковський, Р. С. Круковський // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2010. - № 681. - С. 89-91. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: К232.904

Рубрики:
Стани та структура ртуті та її сплавів

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

10.

Круковський С. І.
Епітаксійні шари GaAs, отримані газофазною хлоридною епітаксією з використанням галієвого джерела, легованого ітербієм / С. І. Круковський, Д. М. Заячук, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2009. - 10, № 3. - С. 594-597. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.2

Рубрики:
Одержання плівок
Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

11.

Ваків М. М.
Низькотемпературна рідинно-фазна епітаксія IBpD-Si шарів у складі IBp - i - nD Si високовольтних структур / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2011. - № 708. - С. 50-54. - Бібліогр.: 4 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:
Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

12.

Круковський С. І.
Властивості подвійних гетеропереходів $E bold p sup +-InP/BInD-InGaAsP/BInD-InP, отриманих за різних технологічних режимів / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 74-80. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25

Рубрики:
Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

13.

Круковський С. І.
Електричні властивості подвійних гетероструктур InP/InGaAsP / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 4. - С. 1097-1101. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:
Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

14.

Ваків М. М.
Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів IBiD-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2013. - № 764. - С. 102-106. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:
Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

15.

Круковський С. І.
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів $E bold {p sup + - roman InP "/" n - roman InGaAsP "/" n - roman InP} / С. І. Круковський, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мрихін, Ю. С. Михащук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2012. - Вып. 47. - С. 64-69. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:
Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

16.

Сизов Ф. Ф.
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів $E bold {{roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As} / Ф. Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. І. Круковський, В. Я. Опилат, І. В. Петренко, Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов, В. П. Тартачник // Доп. НАН України. - 2009. - № 5. - С. 87-93. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27-01

Рубрики:
Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

17.

Круковський С. І.
Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОС-гідридної епітаксії / С. І. Круковський, Г. А. Ільчук, Р. С. Круковський, І. В. Семків, Е. О. Змійовська, С. В. Токарєв // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 3. - С. 03025-1-03025-5. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.33 + З854

Рубрики:
Тверді розчини
Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ