Пошуковий запит: (<.>A=Катеринчук В$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 15
Представлено документи з 1 до 15
|
| 1. |
Катеринчук В. М. Гетероперехід GaSe - InSe із властивостями структур напівпровідник - тонкий діелектрик - напівпровідник. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
| 2. |
Ковалюк З. Д. Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел - InSe - окисел". — 2005 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 3. |
Ковалюк З. Д. Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения. — 2004 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 4. |
Ковалюк З. Д. Влияние <$Ebold gamma>-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур. — 2005 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 5. |
Ковалюк З. Д. Гетеропереход на основе кристалла <$Eroman {FeIn sub 2 Se sub 4}>, полученного методом Бриджмена. — 2007 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 6. |
Катеринчук В. Н. Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов <$Eroman bold {SnS sub 2 }>. — 2007 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 7. |
Катеринчук В. М. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10. — Чернівці, 2008
|
| 8. |
Катеринчук В. М. Температурна динаміка спектрів поляризаційної чутливості гетеропереходів власний оксид - р-InSe // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2013. - 10, № 4.
|
| 9. |
Ковалюк З. Д. Фоточутливі гетеропереходи n-In2O3/p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2013. - 5, 3 (ч. 2).
|
| 10. |
Ковалюк З. Д. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnCdO гетеропереходу n-ZnCdO - p-GaSe // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2015. - 12, № 2.
|
| 11. |
Катеринчук В. М. Властивості анізотипних гетеропереходів n-CdO - p-InSe // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - 14, № 1.
|
| 12. |
Ковалюк З. Д. Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO-p-InSe // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2015. - № 5/6.
|
| 13. |
Кудринський З. Р. Структура окиснених і неокиснених поверхонь шаруватих кристалів InTe // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 4.
|
| 14. |
Катеринчук В. М. Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In4Se3 // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 3.
|
| 15. |
Катеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - 17, № 4.
|
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
