РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (37)Автореферати дисертацій (7)
Пошуковий запит: (<.>U=З843.33$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 57
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Сай П. О. Омические контакты к материалам на основе нитрида индия // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2016. - № 4/5.
2.

Камінський В. М. Електричні властивості кристалів InSe<> // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - 19, № 2.
3.

Притчин С. Е. Розробка технології виробництва підкладок арсеніду галію для виробів мікроелектроніки : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06. — Харків, 2016
4.

Венгер Є. Ф. Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs // Доп. НАН України. - 2007. - № 7.
5.

Хандожко В. О. Розробка сенсорів на основі ядерного квадрупольного резонансу в моноселенідах галію та індію : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01. — Чернівці, 2014
6.

Покладок Н. Т. Спін-залежні кінетичні та поляризаційні процеси в структурах з почерговими напівпровідниковими та магнітоактивними прошарками. — 2006 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
7.

Устинов А. И. Особенности формирования пористой структуры хрома при его осаждении из паровой фазы в присутствии паров галогенидов щелочных металлов. — 2006 // Металлофизика и новейшие технологии.
8.

Кусяк Н. В. Хімічне травлення монокристалів InAs водними розчинами K2Cr2O7 - HBr - ацетатна кислота (трилон Б). — 2006 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
9.

Сукач А. В. Процессы генерации и рекомбинации носителей в арсениде индия и фотодиодах на его основе. — 2007 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
10.

Франів А. В. Електронні властивості кристалів InI під тиском. — 2007 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
11.

Ptashchenko O. O. Tunnel surface current in GaAs - AlGaAs p - n junctions, due to ammonia molecules adsorption. — 2009 // Фотоэлектроника.
12.

Ковалюк З. Д. Методика створення омічних контактів на селеніді індію та селеніді галію. — 2008 // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка.
13.

Сичікова Я. А. Методика отримання та дослідження морфології поруватих шарів р-InP та р-GaAs. — 2010 // Электроника и связь.
14.

Терлецкая Л. Л. Особенности улучшения структурно-чувствительных параметров сенсоров на основе гетерогенных дисперсных систем. — 2010 // Физика аэродисперс. систем.
15.

Кость Я. Я. Термодинамічний аналіз газової фази системи <$E bold roman {Ge << In >>~-~I sub 2}>. — 2011 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
16.

Мокрицкий В. А. Сравнительный анализ влияния быстрых электронов и нейтронов на эпитаксиальные слои арсенида галлия. — 2009 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
17.

Ptashchenko O. O. Surface current in GaAs p - n junctions, passivated by sulphur atoms. — 2009 // Фотоэлектроника.
18.

Каримов А. В. Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
19.

Осинский В. И. Управление свойствами сложных III-оксидных нанокристаллических элементов в технологии оптоэлектронных приборов на нитридах галлия, индия и алюминия. — 2010 // Оптико-електрон. інформ.-енерг. технології.
20.

Конорева О. В. Вплив дефектів структури на оптичне поглинання у фосфіді галію. — 2009 // Вісн. Нац. техн. ун-ту України "КПІ". Сер. Приладобудування.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського