РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
Оберіть мову
Ukrainian
Arabic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bulgarian
Chinese (Simplified)
Chinese (Traditional)
Czech
Danish
Dutch
English
Estonian
Finnish
French
Georgian
German
Greek
Hebrew
Hindi
Hungarian
Icelandic
Irish
Italian
Japanese
Korean
Latvian
Lithuanian
Norwegian
Persian
Polish
Portuguese
Romanian
Russian
Serbian
Slovak
Slovenian
Spanish
Swahili
Swedish
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Ключові слова (без закінчення)
Автор (тільки прізвище)
Назва
Рік видання
Сортувати знайдені документи за:
автором
назвою
роком видання
видом документа
Знайдено в інших БД:
Книжкові видання та компакт-диски (3)
Журнали та продовжувані видання (2)
Пошуковий запит:
(<.>U=З851.122.2$<.>)
Загальна кількість знайдених документів
:
9
Представлено документи
з 1 до 9
1.
Басанец В. В.
Электрические параметры SiC p-i-n-диодов в температурном диапазоне 77 - 773 К
. — 2011 //
Техника и приборы СВЧ
.
2.
Belyaev A. E.
Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
//
Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
. - 2004. - 7, № 2.
3.
Mahi K.
Extraction of diode's electrical parameters under forward and room temperature conditions in an InAsSb based device
//
J. of Nano- and Electronic Physics
. - 2019. - 11, № 4.
4.
Sachenko A. V.
Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
//
Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
. - 2004. - 7, № 1.
5.
Горбань А. П.
Механизмы формирования рекомбинационных токов в прямо смещенных кремниевых
p
-
n
-переходах и солнечных элементах
. — 2004 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
6.
Шеховцов Н. А.
Влияние емкости
p
+
- n - n
+
и
n
+
- p - p
+
диодов на поглощение излучения 54 - 78 ГГц
. — 2000 //
Радиофизика и электроника
.
7.
Осадчук А. Е.
Сравнительный анализ динамических характеристик генератора на двухпролетном ЛПД в двухчастотном режиме для различных профилей легирования диода и положений частотных зон генерации
. — Х., 1999 //
Радиофизика и электроника
.
8.
Malik O.
Modeling of physical properties and experimental results for virtual p-i-n diode based on metal-insulator-silicon structure
. — 2003 //
Фізика і хімія твердого тіла
.
9.
Каневский В. И.
Исследование отрицательной динамической проводимости в вакуумных диодных структурах с острийным катодом в виде *
p
++
-
n
-перехода
. — 1998 //
Изв. вузов. Радиоэлектроника
.
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
Всі права захищені ©
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського