РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (113)Журнали та продовжувані видання (5)Автореферати дисертацій (13)
Пошуковий запит: (<.>U=В379.271.2$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 276
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Ткач М. В. Властивості фононних, електронних та діркових спектрів деяких циліндричних наногетеросистем. — 2001 // Укр. фіз. журн.
2.

Абрамов А. А. Вольт-амперні та ампер-барні залежності для діркового германію для схрещених напрямків одновісного тиску і електричного поля. — 1999 // Укр. фіз. журн.
3.

Горлей П. М. Еволюція станів нерівноважної системи з двома типами носіїв. — 1999 // Укр. фіз. журн.
4.

Стріха М. В. Зміна квантового виходу випромінювання у вузькозонних напівпровідниках під дією одновісного стиску. — 2000 // Укр. фіз. журн.
5.

Шатерник В. Є. Надпровідні тунельні переходи з бар'єрами високої прозорості. — 2001 // Укр. фіз. журн.
6.

Панфілов М. І. Переходи між потенціальними ямами в аморфних напівпровідниках, стимульовані вільними електронами провідності. — 2001 // Укр. фіз. журн.
7.

Жернов А. П. Постоянная решетки и линейный коэффициент теплового расширения кристалла кремния. Влияние композиции изотопов. — 2000 // Физика низ. температур.
8.

Вербовой А. П. Расчет величины активного сопротивления массивного проводника при разбиении его на параллельные ветви. — 1998 // Техн. електродинаміка.
9.
Твердотільна електроніка: Електронні процеси в p - n-переходах : Навч. посіб. — Чернівці: Рута, 1999
10.

Naidyuk Yu. G. Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direct conductance. — 2000 // Физика низ. температур.
11.

Шека Д. І. Залежне від напрямку спіну тунелювання електронів крізь магнітні бар'єри. — 2000 // Укр. фіз. журн.
12.

Надточий В. А. Исследование электрических свойств Ge и Si, деформированных при низких температурах. — 2001 // Физика и техника высоких давлений.
13.

Гуга К. Ю. Переходные процессы в p+ - p-структурах Ge с анизотропной проводимостью в условиях фотовозбуждения. — 2000 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
14.

Андриевский В. В. Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах. — 2000 // Физика низ. температур.
15.

Гаврилюк В. І. Холлівська рухливість вільних носіїв заряду у висококомпенсованому p-германії. — 2000 // Укр. фіз. журн.
16.

Красовицкий Вит. Б. Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии. — 2000 // Физика низ. температур.
17.

Тулупенко В. М. Інвертовані стани носіїв струму у напівпровідниках для середньої (lambda approx 10...50 мкм) і далекої інфрачервоної (lambda approx 50...200 мкм) областей спектра. — К., 1999
18.

Третяк О. В. Спін електрона та електронно-діркова рекомбінація в напівпровідниках. — К., 2001
19.

Белецкий Н. Н. Магнитосопротивление и спиновая поляризация электронного тока магнитного туннельного перехода. — 2006 // Радиофизика и электроника.
20.

Плаксий В. Т. Вольтваттная чувствительность контактов металл - полуметалл BiSb с учетом смещения по постоянному току. — 2002 // Вісн. Сум. держ. ун-ту. Сер. Фізика, математика, механіка.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського