Пошуковий запит: (<.>U=В379.271.42$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 36
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Боровий М. О. Вплив типу та енергії іонізуючої частинки на інтенсивність рентгенівської KL2,3 - емісії атомів кремнію. — 2001 // Укр. фіз. журн.
|
| 2. |
Попов В. Г. Короткохвильова фоточутливiсть кремнiєвих структур з p - n-переходом, утвореним з використанням термодонорiв, стимульованих iмплантацiєю iонiв вуглецю. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 3. |
Галян В. В. Вплив модифікаторів (HgSe, <$Eroman bold {Cu sub 2 Se}>) на фізичні властивості склоподібного диселеніду германію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10. — Луцьк, 2003
|
| 4. |
Северин В. С. Механізми світлочутливості системи халькогенідний склоподібний напівпровідник - метал : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2002
|
| 5. |
Монастирський Л. С. Аналітичні та числові розрахунки фотопровідності поруватого кремнію. — 2011 // Укр. фіз. журн.
|
| 6. |
Дегода В. Я. Базова кінетична модель рентгенопровідності широкозонних напівпровідників. — 2010 // Укр. фіз. журн.
|
| 7. |
Kozyrev Yu. Foto-EMF peculiarities of Ge nanocluster structures formed on oxidized Si surface. — 2011 // Хімія, фізика та технологія поверхні.
|
| 8. |
Glushkov A. V. The Green's functions and density functional approach to vibrational structure in the photoelectronic spectra: molecules CH and HF. — 2011 // Фотоэлектроника.
|
| 9. |
Davidenko N. A. Photoelectric peculiarities of electric photographic and holographic recording media with ionic dyes // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4.
|
| 10. |
Kudin A. P. Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3.
|
| 11. |
Taghiyev T. B. Photoconductivity and photoluminescence features of <$E bold gamma>-irradiated <$E bold roman {GaS sub 0,75 Se sub 0,25 ~symbol ...~Er~symbol ъ}> single crystals // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 3.
|
| 12. |
Onyshchenko V. F. Conductivity and photo-induced conductivity of two-dimensional macroporous silicon structures // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 9.
|
| 13. |
Герман І. І. Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2013. - № 764.
|
| 14. |
Макара В. А. Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу // Доп. НАН України. - 2008. - № 10.
|
| 15. |
Головинський С. Л. Оптичні переходи і механізм фотопровідності в гетероструктурах InxGa1-xAs/GaAs та Si1-xGex/Si з наноострівцями : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.05. — К., 2012
|
| 16. |
Vaksman Yu. F. Optical absorption and photoconductivity of ZnSe:Co single crystals // Functional Materials. - 2007. - 14, № 4.
|
| 17. |
Melnichuk Ye. Ye. Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 4.
|
| 18. |
Vaksman Yu. F. Photoluminescence and photoconductivity of ZnS:Ti single crystals // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2014. - Вып. 23.
|
| 19. |
Карась Н. И. Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2013. - Вып. 48.
|
| 20. |
Vaksman Yu. F. Photoconductivity and photoluminescence of ZnSe:Cr crystals in the visible spectral region // Фотоэлектроника : межвед. науч. сб. - 2015. - Вып. 24.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
