РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
Оберіть мову
Ukrainian
Arabic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bulgarian
Chinese (Simplified)
Chinese (Traditional)
Czech
Danish
Dutch
English
Estonian
Finnish
French
Georgian
German
Greek
Hebrew
Hindi
Hungarian
Icelandic
Irish
Italian
Japanese
Korean
Latvian
Lithuanian
Norwegian
Persian
Polish
Portuguese
Romanian
Russian
Serbian
Slovak
Slovenian
Spanish
Swahili
Swedish
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Ключові слова (без закінчення)
Автор (тільки прізвище)
Назва
Рік видання
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
автором
назвою
роком видання
видом документа
Знайдено в інших БД:
Журнали та продовжувані видання (1)
Наукова періодика України (1)
Пошуковий запит:
(<.>TJ=Оптоэлектроника и полупроводниковая техника<.>)
Загальна кількість знайдених документів
:
395
Представлено документи
з 1 до 20
...
1.
Сукач Г. А.
Влияние параметров импульсного питания и внутренних физических факторов на эксплуатационные характеристики светодиодов
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
2.
Венгер Е. Ф.
Влияние отжига на электронные свойства реальной и сульфидированной поверхностей арсенида галлия
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
3.
Венгер Е. Ф.
Пространственное распределение полей поверхностных поляритонов в системе окись цинка - сапфир
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
4.
Манойлов Э. Г.
Гистерезис вольт-амперных характеристик кремниевых нанокомпозитных пленок
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
5.
Голенков О. Г.
Вплив температури на нелінійне оптичне поглинання монокристалів CdHgTe у дальній інфрачервоній області спектра
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
6.
Власенко А. И.
Варизонные пленки Cd
1-x-y
(Mn, Zn)
y
Hg
x
Te на подложках Cd
1-y
(Zn, Mn)
y
Te, полученные парофазной эпитаксией: профили состава и фотопроводимость
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
7.
Воробкало Ф. М.
Аномалии коэффициента Холла в нейтроннооблученном германии
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
8.
Томашик З. Ф.
Растворение арсенида и антимонида индия в растворах системы HNO
3
- HF - H
2
SO
4
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
9.
Марончук И. Е.
Влияние обработки поверхности пористого кремния на его фотолюминесценцию
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
10.
Шепель Л. Г.
Влияние вакуум-термической обработки теплового узла на концентрацию остаточного углерода в GaAs при выращивании кристаллов методом Чохральского
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
11.
Глинчук К. Д.
Определение концентрации углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs из анализа низкотемпературной (77 К) фотолюминесценции
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
12.
Шепель Л. Г.
Метод повышения эффективности
р - n
-GaAs:Si структур для мощных инфракрасных излучателей
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
13.
Влчек М.
Многокомпонентные халькогенидные неорганические резисты: свойства и применение в дифракционной оптике
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
14.
Кукла А. Л.
Мультиферментный сенсор на основе емкостных структур типа электролит - диэлектрик - полупроводник
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
15.
Ильин И. Ю.
Моделирование и экспериментальное исследование неоднородного лавинного пробоя
p - n
-переходов и диодов Шоттки в зависимости от микрорельефа границы раздела
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
16.
Мельничук О. В.
Дослiдження тонких плiвок ZnO на поверхнi SiC 6H методом ІЧ спектроскопiї
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
17.
Гасан-заде С. Г.
Деградация параметров полупроводниковых структур при термоциклировании и электрическая активность дислокаций в
n
-Cd
x
Hg
1-x
Te
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
18.
Семикина Т. В.
Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения на основе гетероперехода alpha-C/Si
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
19.
Попов В. Г.
Короткохвильова фоточутливiсть кремнiєвих структур з
p - n
-переходом, утвореним з використанням термодонорiв, стимульованих iмплантацiєю iонiв вуглецю
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
20.
Стронский А. В.
Оптические свойства и фотоиндуцированные процессы в слоях As
38
S
62
. — 1998 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
...
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
Всі права захищені ©
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського