РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (10)Автореферати дисертацій (3)
Пошуковий запит: (<.>U=З852.2-01<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 34
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Болтовец Н. С. Формирование мезаструктур 4НSiC p-i-n-диодов методом ионно-плазменного травления. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
2.

Остренко В. С. Визначення додатку до значення теплового опору силових напівпровідникових приладів. — 2010 // Електротехніка та електроенергетика.
3.

Торба Г. О. Дослідження емпіричних законів розподілу імовірностей імпульсних сигналів шумових діодів. — 2009 // Системи озброєння і військ. техніка.
4.

Pavljuk S.  Thermal conduction anisotropy of the diode structures. — 2009 // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка.
5.

Гамола О. Є. Електротеплова модель напівпровідникового діода. — 2007 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
6.

Ільченко В. В. Моделювання рекомбінаційного струму в діодах Шотткі через шари квантових точок двох різних типів. — 2008 // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки.
7.

Боцула О. В. Умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах. — 2008 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка.
8.

Камалов А. Б. Изменение эффективной толщины переходного слоя, стимулированного СВЧ излучением, в контактах Mo - GaAs. — 2009 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
9.

Прохоров Э. Д. Умножение частоты при ударной ионизации в диодах с междолинным переносом электронов на основе AlN, InN. — 2009 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка.
10.

Кременецька Я. А. Використання ефектів сильних полів в нанорозмірних діодних структурах // Наук. зап. Укр. н.-д. ін-ту зв'язку. - 2013. - № 1.
11.

Solovan M. M. Influence of the NaCl dielectric layer on the electrical properties of graphite/n-Cd1 - xZnxTe Schottky diodes fabricated by transferring drawn graphite // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2021. - 13, № 4.
12.

Кудрик Я. Я. Особенности температурной зависимости тока насыщения прямосмещенных диодов Шоттки TiBx - n - 6HSiC. — 2010 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
13.

Міхеєнко Л. А. Метрологічні характеристики дифузного випромінювача на основі інтегруючої сфери з світловипромінюючими діодами. — 2011 // Наук. вісті НТУУ "КПІ".
14.

Юрченко Л. В. Моделирование процессов генерации серии импульсов диодами Ганна в линиях задержки с параллельным соединением. — 2009 // Радиофизика и электроника.
15.

Стороженко И. П. О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs. — 2011 // Радиофизика и электроника.
16.

Камалов А. Б. Деградационные явления в диодах Шоттки Au - Pt - GaAs, стимулированные активными обработками. — 2008 // Укр. фіз. журн.
17.

Стороженко И. П. Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с <$Ebold {{ roman Al} sub x { roman Ga} sub {1~-~x } roman As}> и <$Ebold {{ roman GaP} sub x { roman As} sub {1~-~x } }> катодами. — 2007 // Радиофизика и электроника.
18.

Баранов В. В. Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа. — 2007 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
19.

Стороженко И. П. Моделирование диодов Ганна на основе варизонных полупроводников. — 2003 // Радиофизика и электроника.
20.

Руденко Т. Е. Исследование генерационных характеристик металл-оксид-полупроводниковых приборов на основе структуры "кремний-на-изоляторе" с помощью диода, управляемого затвором. — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського