РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (10)Автореферати дисертацій (3)
Пошуковий запит: (<.>U=З852.2-01<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 34
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Solovan M. M. Influence of the NaCl dielectric layer on the electrical properties of graphite/n-Cd1 - xZnxTe Schottky diodes fabricated by transferring drawn graphite // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2021. - 13, № 4.
2.

Pavljuk S.  Thermal conduction anisotropy of the diode structures. — 2009 // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка.
3.

Плаксин С. В. Активный смеситель сдвига частоты миллиметрового диапазона на диодах Ганна. — 2005 // Радиофизика и радиоастрономия.
4.

Стороженко И. П. Варизонные <$Eroman In P sub 1-x(z) As sub x(z) >диоды Ганна с различными катодными контактами. — 2006 // Радиофизика и электроника.
5.

Остренко В. С. Визначення додатку до значення теплового опору силових напівпровідникових приладів. — 2010 // Електротехніка та електроенергетика.
6.

Кременецька Я. А. Використання ефектів сильних полів в нанорозмірних діодних структурах // Наук. зап. Укр. н.-д. ін-ту зв'язку. - 2013. - № 1.
7.

Піддячий В. І. Високоефективне перетворення частоти на діодах з бар'єром Шотткі та малошумливі приймачі міліметрового діапазону : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук. — Х., 2007
8.

Аркуша Ю. В. Влияние запорного металлического катодного контакта на работу диодов Ганна на основе InxGa1 - xAs. — 2001 // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна.
9.

Стороженко И. П. Вольтамперные характеристики диодов Ганна с двумя активными областями и гетеропереходом. — 2001 // Вісн. Харк. нац. ун-ту ім. В.Н. Каразіна.
10.

Челюбеєв В. М. Вплив контактних неоднорідностей на електричні характеристики діодів Ганна : Автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.01. — К., 2002
11.

Плаксин С. В. Гармонические МЭП-диоды на основе арсенида галлия. — 2007 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
12.

Камалов А. Б. Деградационные явления в диодах Шоттки Au - Pt - GaAs, стимулированные активными обработками. — 2008 // Укр. фіз. журн.
13.

Торба Г. О. Дослідження емпіричних законів розподілу імовірностей імпульсних сигналів шумових діодів. — 2009 // Системи озброєння і військ. техніка.
14.

Фелінський Г. С. Експериментальні дослідження напівпровідникових лазерних діодів для акусто-оптичних процесорів НВЧ радіосигналів. — 2007 // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки.
15.

Гамола О. Є. Електротеплова модель напівпровідникового діода. — 2007 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
16.

Камалов А. Б. Изменение эффективной толщины переходного слоя, стимулированного СВЧ излучением, в контактах Mo - GaAs. — 2009 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
17.

Руденко Т. Е. Исследование генерационных характеристик металл-оксид-полупроводниковых приборов на основе структуры "кремний-на-изоляторе" с помощью диода, управляемого затвором. — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
18.

Міхеєнко Л. А. Метрологічні характеристики дифузного випромінювача на основі інтегруючої сфери з світловипромінюючими діодами. — 2011 // Наук. вісті НТУУ "КПІ".
19.

Стороженко И. П. Моделирование диодов Ганна на основе варизонных полупроводников. — 2003 // Радиофизика и электроника.
20.

Юрченко Л. В. Моделирование процессов генерации серии импульсов диодами Ганна в линиях задержки с параллельным соединением. — 2009 // Радиофизика и электроника.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського