РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (3)Наукова періодика України (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Болтовец Н$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 16
Представлено документи з 1 до 16
1.

Борисенко А. Г. Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия. — 2005 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
2.

Болтовец Н. С. Исследования кремниевых высоковольтных СВЧ p - i - n-диодов при повышенной температуре. — 2008 // Техника и приборы СВЧ.
3.

Болтовец Н. С. Кремниевые быстродействующие бескорпусные p-in-диоды с балочными выводами. — 2008 // Техника и приборы СВЧ.
4.

Болтовец Н. С. Малогабаритные частотно-стабилизированные генераторы миллиметрового диапазона на лавинно-пролетных диодах. — 2008 // Техника и приборы СВЧ.
5.

Басанец В. В. Мощные кремниевые импульсные лавиннопролетные диоды 8-мм диапазона. — 2009 // Техника и приборы СВЧ.
6.

Болтовец Н. С. Развитие полупроводниковой электроники сверхвысоких частот в НИИ "Орион". — 2008 // Техника и приборы СВЧ.
7.

Панасюк А. Д. Структура и свойства тонких керамических покрытий в системе <$E bold roman {AlN~-~TiCrB sub 2}>. — 2006 // Порошковая металлургия.
8.

Агеев О. А. Карбид кремния: технология, свойства, применение : монография. — Х., 2010 - (Состояние и перспективы развития функцион. материалов для науки и техники).
9.

Болтовец Н. С. Формирование мезаструктур 4НSiC p-i-n-диодов методом ионно-плазменного травления. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
10.

Беляев А. Е. Физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике : [колект. моногр.]. — Х.: ИСМА, 2011
11.

Болтовец Н. С. 50 лет развития СВЧ-электроники в НИИ "Орион" (к 50-летию создания НИИ "Орион").. — 2011 // Техника и приборы СВЧ.
12.

Болтовец Н. С. Фазовращатель 0-<$Epi> на 4HSiC p-i-n-диодах. — 2011 // Техника и приборы СВЧ.
13.

Басанец В. В. Электрические параметры SiC p-i-n-диодов в температурном диапазоне 77 - 773 К. — 2011 // Техника и приборы СВЧ.
14.

Беляев А. Е. Особенности температурной зависимости напряжения пробоя СВЧ диодов Шоттки <$Ebold roman {Au-Tі-n-n sup +}>-6H-SiC. — 2011 // Техника и приборы СВЧ.
15.

Саченко А. В. Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2013. - Вып. 48.
16.
Физико-технологические проблемы нитридгаллиевой электроники : [монография]. — Киев: Наук. думка, 2016. — 257, [1]: a-рис. - (Проект "Наук. кн.").
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського