Пошуковий запит: (<.>U=В379.221$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 35
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Гімчинський О. Г. Рентгеноакустичні дослідження структури реальних монокристалів кремнію : Дис...канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Чернівці, 1995
|
| 2. |
Гімчинський О. Г. Рентгеноакустичні дослідження структури реальних монокристалів кремнію : Дис...канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — Чернівці, 1995
|
| 3. |
Фар Раафат Саід НВЧ діагностика сруктурно упорядкованих областей в аморфних напівпровідниках : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.03. — Х., 1998
|
| 4. |
Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 5. |
Глинчук К. Д. Определение концентрации углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs из анализа низкотемпературной (77 К) фотолюминесценции. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 6. |
Gomeniuk Yu. V. Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3.
|
| 7. |
Zhuchenko Z.Ya. Optical characterization of pseudomorphic heterostructures // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3.
|
| 8. |
Lysiuk I. O. Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4.
|
| 9. |
Мармус П. Є. Рентгенодифракційні дослідження структурних змін в кристалах Si, після високоенергетичного електронного опромінення : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07. — Чернівці, 1999
|
| 10. |
Клімов А. О. Домішкові центри в шаруватому селеніді галію, легованому гадолінієм : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 1999
|
| 11. |
Бурачек В. Р. Термостимульована релаксація як метод дослідження широкозонних напівпровідників : Навч. посіб. — Чернівці: Рута, 1999
|
| 12. |
Datsenko L. I. Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 13. |
Фодчук И. М. Исследование структурных изменений в кристаллах при ионной имплантации. — 1999 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 14. |
Любчак В. О. Метод інжекційної спектроскопії для вивчення глибоких центрів у плівках телуриду кадмію. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 15. |
Кладько В. П. Особенности лауэ-дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в монокристаллах GaAs в области слабых и высоких уровней поглощения. — 1999 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 16. |
Авраменко С. Ф. Исследование структурных дефектов в объемных кристаллах карбида кремния. — 2000 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 17. |
Фодчук И. М. Влияние одномерных деформаций на формирование изображений микродефектов на рентгеновских секционных топограммах. — 2000 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 18. |
Kasimov F. D. Dependence of the polycristalline silicon film texture on technological conditions of the film formation // Functional Materials. - 2000. - 7, № 1.
|
| 19. |
Михайлик Еліпсометрія надграток і розупорядкованих поверхонь монокристалів GaAs і Si : Автореф. дис...канд. фіз.-мат. наук:01.04.07. — Львів, 2000
|
| 20. |
Мельник В. М. Рентгенодифрактометричні дослідження змін структурної досконалості бездислокаційних монокристалів кремнію під дією іонного опромінення, відпалу та гідростатичного тиску : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2000
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
