Пошуковий запит: (<.>U=В379.26$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 162
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Сайко С. В. Нестаціонарна акустоелектрична та акустооптична спектроскопія глибоких рівнів в GaAs : Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07. — К., 1996
|
| 2. |
Власенко А. И. Фотоэлектрические свойства варизонных слоев CdHgTe и р - n-структур на их основе. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 3. |
Petrovic D. M. Thermomechanical study of bulk glasses in the Cu - As - Se - I system // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3.
|
| 4. |
Приварников О. А. Оценка напряжений и прогибов в многослойных полупроводниковых пластинах после механической обработки. — 1999 // Сверхтвердые материалы.
|
| 5. |
Нікітенко Є. В. Деформаційні ефекти в кубічних напівпровідниках з неоднорідним потенціалом : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10. — К., 1999
|
| 6. |
Pluzhnikov V. B. Effect of pressure on the Fermi surface and electronic structure of ErGa3. — 1999 // Физика низ. температур.
|
| 7. |
Власенко О. І. Вплив фотоактивних включень на температурні залежності часу життя нерівноважних носіїв заряду в кристалах CdHgTe. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 8. |
Vasin A. V. Correlation of deposition parameters, film thickness and mechanical stresses in a-C:H films on silicon substrates // Functional Materials. - 2000. - 7, № 1.
|
| 9. |
Мильман Ю. В. Сопоставление механических свойств полиборида иттрия YB66 и квазикристалла AlCuFe, сформированных на основе икосаэдров бора или алюминия // Доп. НАН України. - 2000. - № 12.
|
| 10. |
Romanjuk B. Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1.
|
| 11. |
Venger E. F Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3.
|
| 12. |
Кладько В. П. Структурні властивості імплантованих шарів арсеніду галію в полях пружних деформацій. — 2001 // Укр. фіз. журн.
|
| 13. |
Комарь В. К. Монокристаллы группы <$Eroman bold {А sup II В sup VI}>. Выращивание, свойства, применение : Моногр. — Х.: Ин-т монокристаллов, 2002 - (Состояние и перспективы развития функцион. материалов для науки и техники).
|
| 14. |
Artamonov V. V. Study of mechanical strain in <$E bold {{roman Si} sub {1~-~x} {roman Ge} sub x}> layers using Raman spectroscopy // Functional Materials. - 2002. - 9, № 2.
|
| 15. |
Курило І. В. Вплив вкраплень Hg і Te на механічні властивості кристалів CdTe, HgTe і CdxHg1-xTe. — 2002 // Укр. фіз. журн.
|
| 16. |
Фодчук І. М. Чотирихвильове розсіяння X-променів у Ge з одновимірними полями механічних напружень. — 2002 // Укр. фіз. журн.
|
| 17. |
Макара В. А. Влияние внешних факторов на релаксацию микротвердости в кристаллах кремния. — 2003 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 18. |
Бродниковский Н. П. Механическое поведение титанокремнистого карбида Ti3SiC2 в зависимости от структурного состояния и условий деформирования. — 2003 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 19. |
Стебленко Л. П. Мікропластичні властивості приповерхневих шарів кристалів кремнію : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2004
|
| 20. |
Ermakov A. P. Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals // Functional Materials. - 2004. - 11, № 4.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
