Пошуковий запит: (<.>U=В379.26<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 132
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Власенко А. И. Фотоэлектрические свойства варизонных слоев CdHgTe и р - n-структур на их основе. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
2. |
Власенко О. І. Вплив фотоактивних включень на температурні залежності часу життя нерівноважних носіїв заряду в кристалах CdHgTe. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
3. |
Приварников О. А. Оценка напряжений и прогибов в многослойных полупроводниковых пластинах после механической обработки. — 1999 // Сверхтвердые материалы.
|
4. |
Petrovic D. M. Thermomechanical study of bulk glasses in the Cu - As - Se - I system // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3.
|
5. |
Pluzhnikov V. B. Effect of pressure on the Fermi surface and electronic structure of ErGa3. — 1999 // Физика низ. температур.
|
6. |
Romanjuk B. Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1.
|
7. |
Venger E. F Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3.
|
8. |
Vasin A. V. Correlation of deposition parameters, film thickness and mechanical stresses in a-C:H films on silicon substrates // Functional Materials. - 2000. - 7, № 1.
|
9. |
Мильман Ю. В. Сопоставление механических свойств полиборида иттрия YB66 и квазикристалла AlCuFe, сформированных на основе икосаэдров бора или алюминия // Доп. НАН України. - 2000. - № 12.
|
10. |
Кладько В. П. Структурні властивості імплантованих шарів арсеніду галію в полях пружних деформацій. — 2001 // Укр. фіз. журн.
|
11. |
Курило І. В. Вплив вкраплень Hg і Te на механічні властивості кристалів CdTe, HgTe і CdxHg1-xTe. — 2002 // Укр. фіз. журн.
|
12. |
Комарь В. К. Монокристаллы группы <$Eroman bold {А sup II В sup VI}>. Выращивание, свойства, применение : Моногр. — Х.: Ин-т монокристаллов, 2002 - (Состояние и перспективы развития функцион. материалов для науки и техники).
|
13. |
Фодчук І. М. Чотирихвильове розсіяння X-променів у Ge з одновимірними полями механічних напружень. — 2002 // Укр. фіз. журн.
|
14. |
Бродниковский Н. П. Механическое поведение титанокремнистого карбида Ti3SiC2 в зависимости от структурного состояния и условий деформирования. — 2003 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
15. |
Бейгельзимер Я. Е. Фрагментация структуры и разрушение металлических материалов при больших пластических деформациях: предпосылки к моделированию. — 2004 // Физика и техника высоких давлений.
|
16. |
Рувінський Б. М. Поглинання гіперзвуку електронами в прямокутному квантовому дроті. — 2004 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
17. |
Nakonechna O. I. Influence of Si on microstructure and mechanical properties of TiAlSiN hard thin films // Functional Materials. - 2004. - 11, № 3.
|
18. |
Бурма Н. Г. Аномальная звуковая прозрачность в условиях эффекта отклонения. — 2004 // Физика низ. температур.
|
19. |
Ermakov A. P. Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals // Functional Materials. - 2004. - 11, № 4.
|
20. |
Nadtochiy V. A. Microplasticity of subsurface layers of diamond-like semiconductors under microindentation. — 2005 // Физика и техника высоких давлений.
|
| |