РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
Оберіть мову
Ukrainian
Arabic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bulgarian
Chinese (Simplified)
Chinese (Traditional)
Czech
Danish
Dutch
English
Estonian
Finnish
French
Georgian
German
Greek
Hebrew
Hindi
Hungarian
Icelandic
Irish
Italian
Japanese
Korean
Latvian
Lithuanian
Norwegian
Persian
Polish
Portuguese
Romanian
Russian
Serbian
Slovak
Slovenian
Spanish
Swahili
Swedish
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Ключові слова (без закінчення)
Автор (тільки прізвище)
Назва
Рік видання
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
автором
назвою
роком видання
видом документа
Знайдено в інших БД:
Книжкові видання та компакт-диски (11)
Автореферати дисертацій (3)
Пошуковий запит:
(<.>U=З852.2-01$<.>)
Загальна кількість знайдених документів
:
34
Представлено документи
з 1 до 20
...
1.
Аркуша Ю. В.
Энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе тройных полупроводников A
3
B
5
с линейно изменяющимся составом в активной зоне
. — 2004 //
Радиофизика и электроника
.
2.
Стороженко И. П.
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с <$Ebold {{ roman Al} sub x { roman Ga} sub {1~-~x } roman As}> и <$Ebold {{ roman GaP} sub x { roman As} sub {1~-~x } }> катодами
. — 2007 //
Радиофизика и электроника
.
3.
Болтовец Н. С.
Формирование мезаструктур 4НSiC
p
-i-
n
-диодов методом ионно-плазменного травления
. — 2009 //
Технология и конструирование в электрон. аппаратуре
.
4.
Михайлов А. И.
Усовершенствованный вариант однотемпературной модели эффекта Ганна в арсениде галлия
. — 1999 //
Изв. вузов. Радиоэлектроника
.
5.
Касаткин Л. В.
Управление фазой выходного сигнала синхронизированного полупроводникового генератора
. — 2006 //
Изв. вузов. Радиоэлектроника
.
6.
Прохоров Э. Д.
Умножение частоты при ударной ионизации в диодах с междолинным переносом электронов на основе AlN, InN
. — 2009 //
Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка
.
7.
Боцула О. В.
Умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах
. — 2008 //
Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка
.
8.
Баранов В. В.
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
. — 2007 //
Технология и конструирование в электрон. аппаратуре
.
9.
Боцула О. В.
Совместная работа двухуровневого резонансно-туннельного диода и диода Ганна
. — 2003 //
Радиофизика и электроника
.
10.
Наумов А. В.
Особливості латерального та вертикального транспорту електронів в квантових гетероструктурах на основі нітридів III групи
: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2010
11.
Кудрик Я. Я.
Особенности температурной зависимости тока насыщения прямосмещенных диодов Шоттки TiB
x
-
n
- 6HSiC
. — 2010 //
Изв. вузов. Радиоэлектроника
.
12.
Стороженко И. П.
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
. — 2011 //
Радиофизика и электроника
.
13.
Ільченко В. В.
Моделювання рекомбінаційного струму в діодах Шотткі через шари квантових точок двох різних типів
. — 2008 //
Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки
.
14.
Каневский В. И.
Моделирование физических процессов в диодах Ганна с островковыми инжекторами "горячих" электронов
. — 2000 //
Изв. вузов. Радиоэлектроника
.
15.
Юрченко Л. В.
Моделирование процессов генерации серии импульсов диодами Ганна в линиях задержки с параллельным соединением
. — 2009 //
Радиофизика и электроника
.
16.
Стороженко И. П.
Моделирование диодов Ганна на основе варизонных полупроводников
. — 2003 //
Радиофизика и электроника
.
17.
Міхеєнко Л. А.
Метрологічні характеристики дифузного випромінювача на основі інтегруючої сфери з світловипромінюючими діодами
. — 2011 //
Наук. вісті НТУУ "КПІ"
.
18.
Руденко Т. Е.
Исследование генерационных характеристик металл-оксид-полупроводниковых приборов на основе структуры "кремний-на-изоляторе" с помощью диода, управляемого затвором
. — 2003 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
19.
Камалов А. Б.
Изменение эффективной толщины переходного слоя, стимулированного СВЧ излучением, в контактах Mo - GaAs
. — 2009 //
Изв. вузов. Радиоэлектроника
.
20.
Гамола О. Є.
Електротеплова модель напівпровідникового діода
. — 2007 //
Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка"
.
...
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
Всі права захищені ©
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського