РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (11)Автореферати дисертацій (3)
Пошуковий запит: (<.>U=З852.2-01$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 34
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Аркуша Ю. В. Энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе тройных полупроводников A3B5 с линейно изменяющимся составом в активной зоне. — 2004 // Радиофизика и электроника.
2.

Стороженко И. П. Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с <$Ebold {{ roman Al} sub x { roman Ga} sub {1~-~x } roman As}> и <$Ebold {{ roman GaP} sub x { roman As} sub {1~-~x } }> катодами. — 2007 // Радиофизика и электроника.
3.

Болтовец Н. С. Формирование мезаструктур 4НSiC p-i-n-диодов методом ионно-плазменного травления. — 2009 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
4.

Михайлов А. И. Усовершенствованный вариант однотемпературной модели эффекта Ганна в арсениде галлия. — 1999 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
5.

Касаткин Л. В. Управление фазой выходного сигнала синхронизированного полупроводникового генератора. — 2006 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
6.

Прохоров Э. Д. Умножение частоты при ударной ионизации в диодах с междолинным переносом электронов на основе AlN, InN. — 2009 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка.
7.

Боцула О. В. Умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах. — 2008 // Вісн. Харк. нац. ун-ту. Радіофізика та електроніка.
8.

Баранов В. В. Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа. — 2007 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
9.

Боцула О. В. Совместная работа двухуровневого резонансно-туннельного диода и диода Ганна. — 2003 // Радиофизика и электроника.
10.

Наумов А. В. Особливості латерального та вертикального транспорту електронів в квантових гетероструктурах на основі нітридів III групи : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 2010
11.

Кудрик Я. Я. Особенности температурной зависимости тока насыщения прямосмещенных диодов Шоттки TiBx - n - 6HSiC. — 2010 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
12.

Стороженко И. П. О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs. — 2011 // Радиофизика и электроника.
13.

Ільченко В. В. Моделювання рекомбінаційного струму в діодах Шотткі через шари квантових точок двох різних типів. — 2008 // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки.
14.

Каневский В. И. Моделирование физических процессов в диодах Ганна с островковыми инжекторами "горячих" электронов. — 2000 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
15.

Юрченко Л. В. Моделирование процессов генерации серии импульсов диодами Ганна в линиях задержки с параллельным соединением. — 2009 // Радиофизика и электроника.
16.

Стороженко И. П. Моделирование диодов Ганна на основе варизонных полупроводников. — 2003 // Радиофизика и электроника.
17.

Міхеєнко Л. А. Метрологічні характеристики дифузного випромінювача на основі інтегруючої сфери з світловипромінюючими діодами. — 2011 // Наук. вісті НТУУ "КПІ".
18.

Руденко Т. Е. Исследование генерационных характеристик металл-оксид-полупроводниковых приборов на основе структуры "кремний-на-изоляторе" с помощью диода, управляемого затвором. — 2003 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
19.

Камалов А. Б. Изменение эффективной толщины переходного слоя, стимулированного СВЧ излучением, в контактах Mo - GaAs. — 2009 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
20.

Гамола О. Є. Електротеплова модель напівпровідникового діода. — 2007 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського