Пошуковий запит: (<.>U=В379.221$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 35
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Lysiuk I. O. Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4.
|
| 2. |
Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots. — 1998 // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка.
|
| 3. |
Kasimov F. D. Dependence of the polycristalline silicon film texture on technological conditions of the film formation // Functional Materials. - 2000. - 7, № 1.
|
| 4. |
Chaika M. A. Influence of Ca and Mg doping on the microstructure and optical properties of YAG ceramics // Functional Materials. - 2017. - 24, № 2.
|
| 5. |
Patskun I. I. Investigation of <$E bold { beta - roman CdP sub 2}> crystals by laser spectroscopy methods // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1.
|
| 6. |
Klad'ko V. P. Investigation of GaAs/AlAs short-periodic superlattices by high-resolution X-ray diffractometry. — 2004 // Укр. фіз. журн.
|
| 7. |
Zhuchenko Z.Ya. Optical characterization of pseudomorphic heterostructures // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3.
|
| 8. |
Gomeniuk Yu. V. Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3.
|
| 9. |
Datsenko L. I. Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 10. |
Souigat A. The temperature dependence of the guadratic proportionality factor of P diffusivity in germanium with the free electron density // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 6.
|
| 11. |
Souigat A. The temperature dependence of the guadratic proportionality factor of P diffusivity in germanium with the free electron density // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 6.
|
| 12. |
Фодчук И. М. Влияние одномерных деформаций на формирование изображений микродефектов на рентгеновских секционных топограммах. — 2000 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 13. |
Баранський П. І. Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термоерс захоплення електронів фононами в n-Si // Доп. НАН України. - 2014. - № 5.
|
| 14. |
Дзундза Б. С. Вплив міжфазних меж на розсіювання носіїв струму у плівках телуриду свинцю та олова. — 2012 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 15. |
Клімов А. О. Домішкові центри в шаруватому селеніді галію, легованому гадолінієм : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 1999
|
| 16. |
Михайлик Еліпсометрія надграток і розупорядкованих поверхонь монокристалів GaAs і Si : Автореф. дис...канд. фіз.-мат. наук:01.04.07. — Львів, 2000
|
| 17. |
Сиротюк С. В. Електронний енергетичний спектр кремнію з урахуванням квазічастинкових поправок. — 2012 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
|
| 18. |
Авраменко С. Ф. Исследование структурных дефектов в объемных кристаллах карбида кремния. — 2000 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 19. |
Фодчук И. М. Исследование структурных изменений в кристаллах при ионной имплантации. — 1999 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 20. |
Любчак В. О. Метод інжекційної спектроскопії для вивчення глибоких центрів у плівках телуриду кадмію. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
