Пошуковий запит: (<.>A=Галій П$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 21
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Галій П. В. Електронно-емісійна спектроскопія поверхонь поруватого кремнію. — 2000 // Укр. фіз. журн.
|
| 2. |
Галій П. В. Електронні релаксації радіаційних дефектів аніонної підгратки кристалів броміду цезію та екзоемісія електронів. — 2002 // Укр. фіз. журн.
|
| 3. |
Галій П. В. Кількісна оже-електронна спектроскопія формування інтерфейсних шарів вуглецю на поверхнях вакуумних сколів кристалів шаруватих напівпровідників <$E bold roman {In sub 4 Se sub 3}>. — 2003 // Укр. фіз. журн.
|
| 4. |
Галій П. В. Екзоелектронна емісійна спектроскопія приповерхневого шару монокристалічного кремнію. — 2005 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 5. |
Галій П. В. Електронні властивості та мікро- і наноструктура поверхонь галогенідів цезію й селенідів індію : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.18. — Івано-Франківськ, 2010
|
| 6. |
Галій П. В. Вплив областей просторового заряду на релаксаційну емісію електронів опромінених діелектричних поверхонь. — 2011 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 7. |
П'янило Я. Залежність швидкості фільтрації газу від тиску в околах свердловин газоносних пластів. — 2010 // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології.
|
| 8. |
Галій П. В. Нановимірні дослідження поверхні (100) шаруватого кристала In4Se3. — 2009 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 9. |
П'янило Я. Розрахунок поля швидкостей руху газу в пластах підземних сховищ на основі методу скінченних елементів. — 2011 // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології.
|
| 10. |
Мельник О. Я. Транспорт до поверхні та вихід у вакуум низькоенергетичних екзоелектронів CsBr. — 2009 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 11. |
Галій П. В. Растрова електронна та атомно-силова мікроскопії радіолізу поверхонь плівок CsI при високоінтенсивному електронному опроміненні // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 3.
|
| 12. |
Галій П. В. Наноструктурні дослідження поверхонь (100) кристалів In4Se3, інтеркальованих сріблом // Металлофизика и новейшие технологии. - 2013. - 35, № 8.
|
| 13. |
Галій П. В. Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2013. - 4, № 2.
|
| 14. |
Галій П. В. Структурні дослідження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 методом дифракції повільних електронів // Укр. фіз. журн.. - 2014. - 59, № 6.
|
| 15. |
Галій П. В. Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2014. - 5, № 3.
|
| 16. |
Галій П. В. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2014. - 6, № 2.
|
| 17. |
Галій П. В. Дослідження мікро- та наноструктури міжшарових поверхонь сколювання шаруватих кристалів InSe, інтеркальованих нікелем // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 1.
|
| 18. |
Галій П. В. Динаміка зміни стехіометрії поверхні кристалів CsI під впливом концентрованих потоків енергії: роль теплових та електронних збуджень // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - 14, № 3.
|
| 19. |
Галій П. В. Особливості нікелевих наноструктур, сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NixInSe // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2018. - 9, № 1.
|
| 20. |
Галій П. В. Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних наноструктурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 4.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
