РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (12)Автореферати дисертацій (1)Наукова періодика України (45)Авторитетний файл імен осіб (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Гайдар Г$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 59
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Баранський П. І. Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії // Доп. НАН України. - 2010. - № 11.
2.

Баранський П. І. Анізотропія термоелектричних властивостей багатодолинних напівпровідників кубічної симетрії під впливом зовнішніх спрямованих дій // Термоелектрика. - 2014. - № 1.
3.

Гайдар Г. П. Анізотропія термоерс і параметр термоефективності пружно деформованих германію і кремнію різних рівнів легування // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - 21, № 3.
4.

Баранський П. І. Анізотропія термоерс захоплення електронів фононами в n-Ge. — 2012 // Термоелектрика.
5.

Гайдар Г. П. Від нанокластерів до наноструктурованих матеріалів. — 2010 // Термоелектрика.
6.

Варенцов М. Д. Відпал кластерів дефектів у зразках Si та <$E bold roman {Si symbol ... Ge symbol ъ}>, вирощених методом Чохральського. — 2007 // Укр. фіз. журн.
7.

Баранський П. І. Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках // Доп. НАН України. - 2012. - № 10.
8.

Гайдар Г. П. Визначення ступеня однорідності кристалів n-Ge за даними вимірів магнітоопору в класично слабких магнітних полях // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - 16, № 3.
9.

Гайдар Г. П. Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію // Доп. НАН України. - 2016. - № 7.
10.

Баранський П. І. Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термоерс захоплення електронів фононами в n-Si // Доп. НАН України. - 2014. - № 5.
11.

Гайдар Г. П. Вплив термовідпалів і способів охолодження на електрофізичні параметри n-Si, легованого домішкою фосфору через розплав і методом ядерної трансмутації // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - 19, № 1.
12.

Баранський П. І. Вплив термовідпалів при 450 і 650 <$E bold symbol Р>C на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2014. - Вып. 49.
13.

Гайдар Г. П. Вплив термообробки на параметр анізотропії термоерс захоплення трансмутаційно легованих кристалів кремнію // Термоелектрика. - 2016. - № 4.
14.

Гайдар Г. П. Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si і Ge : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07. — Київ, 2014
15.

Гайдар Г. П. Деформаційні ефекти у кристалах германію діркової провідності // Доп. НАН України. - 2023. - № 3.
16.

Баранський П. І. Деякі термоелектричні особливості звичайних і трансмутаційно легованих кристалів кремнію. — 2012 // Термоелектрика.
17.

Гайдар Г. П. До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках // Доп. НАН України. - 2022. - № 2.
18.

Гайдар Г. П. До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках <<110>> // Доп. НАН України. - 2019. - № 5.
19.

Гайдар Г. П. Дослідження змін питомого опору n-Si з температурою і направленим тиском // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - 18, № 1.
20.

Гайдар Г. П. Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації // Доп. НАН України. - 2015. - № 6.
...
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського