Пошуковий запит: (<.>U=В379.271.21$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 59
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Твердотільна електроніка: Електронні процеси в p - n-переходах : Навч. посіб. — Чернівці: Рута, 1999
|
| 2. |
Надточий В. А. Исследование электрических свойств Ge и Si, деформированных при низких температурах. — 2001 // Физика и техника высоких давлений.
|
| 3. |
Андриевский В. В. Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах. — 2000 // Физика низ. температур.
|
| 4. |
Плаксий В. Т. Вольтваттная чувствительность контактов металл - полуметалл BiSb с учетом смещения по постоянному току. — 2002 // Вісн. Сум. держ. ун-ту. Сер. Фізика, математика, механіка.
|
| 5. |
Ларкин С. Ю. Несимметричные двухбарьерные туннельные переходы на основе нитрида ниобия. — 2005 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
|
| 6. |
Арапов Ю. Г. Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур <$E bold {p- roman {Ge "/" Ge} sub 1-x {roman Si} sub x}> в области перехода металл - диэлектрик. — 2004 // Физика низ. температур.
|
| 7. |
Ковалюк З. Д. Створення та дослідження p - n-переходів на p-InSe імпульсним лазерним опроміненням. — 2005 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 8. |
Zukowski P. Generation-recombination mechanism of hopping recharging between deep amphoteric defects in strongly defected semiconductors. — 2006 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 9. |
Ptashchenko O. O. Effect of sulphur atoms on surface current in GaAs p - n junctions. — 2008 // Фотоэлектроника.
|
| 10. |
Артеменко О. С. Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в P-N переходах на основі напівпровідників <$Eroman {A sup III B sup V }> : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10. — О., 2004
|
| 11. |
Панков Ю. М. П'єзоопір у тонких шарах і мікрокристалах кремнію та германію p-типу провідності і сенсори на їх основі : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.01. — Л., 1999
|
| 12. |
Борисов О. В. Мікроелектронні сенсори на р-n переходах : текст лекцій. — К., 2011
|
| 13. |
Ptashchenko O. O. Effect of ambient atmosphere on the surface current in silicon p - n junctions. — 2009 // Фотоэлектроника.
|
| 14. |
Ptashchenko F. O. Negative sensitivity of silicon p - n junctions as gas sensors. — 2011 // Фотоэлектроника.
|
| 15. |
Shwarts Yu. M. Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3.
|
| 16. |
Брус В. В. Виготовлення та властивості p - n-переходів на основі Cd1-xZnxTe // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2013. - № 6/12.
|
| 17. |
Tkach M. V. Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa1 - xAs) // Condensed Matter Physics. - 2001. - 4, № 3.
|
| 18. |
Yevtushenko N. G. Laser-stimulated doping effect on gallium phosphide structure and properties // Functional Materials. - 2003. - 10, № 2.
|
| 19. |
Peleshchak R. M. The formation of <$E bold {n~-~n sup +}> transition in the implanted crystal matrix // Functional Materials. - 2005. - 12, № 2.
|
| 20. |
Druzhinin A. A. Low temperature characteristics of germanium whiskers // Functional Materials. - 2014. - 21, № 2.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
