РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнявидом документа
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)Журнали та продовжувані видання (1)Наукова періодика України (5)Авторитетний файл імен осіб (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Круковський С$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 17
Представлено документи з 1 до 17
1.

Литовченко П. Г. Деградація <$Ebold { roman Al sub x roman Ga sub {1~-~x } }>As/GaAs гетеростуктур у <$Egamma>-полі <$Eroman bold {Co sup 60 }>. — 2003 // Фізика і хімія твердого тіла.
2.

Заячук Д. М. Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії. — 2005 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
3.

Круковський С. І. Механізм очистки епітаксійних шарів GaAs, InGaAsP під впливом комплексного легування розплавів рідкісноземельними елементами та алюмінієм в технології РФЕ. — 2006 // Фізика і хімія твердого тіла.
4.

Заячук Д. М. Особливості одержання лазерних структур GaAs/AlGaAs методом РФЕ під впливом Yb. — 2005 // Фізика і хімія твердого тіла.
5.

Мрихін І. О. Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним p - n-переходом. — 2007 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
6.

Заячук Д. М. Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії. — 2009 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
7.

Круковський С. І. Комплексно леговані структури на основі <$Eroman bold {A sub 3 B sub 5 }> : Автореф. дис... д-ра техн. наук. — Л., 2006
8.

Ваків М. М. Дослідження фазових рівноваг в системі Bi - InSb. — 2011 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
9.

Ваків М. М. Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi - InAs. — 2010 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
10.

Круковський С. І. Епітаксійні шари GaAs, отримані газофазною хлоридною епітаксією з використанням галієвого джерела, легованого ітербієм. — 2009 // Фізика і хімія твердого тіла.
11.

Ваків М. М. Низькотемпературна рідинно-фазна епітаксія p-Si шарів у складі p - i - n Si високовольтних структур. — 2011 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка".
12.

Круковський С. І. Властивості подвійних гетеропереходів <$E bold p sup +>-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів. — 2011 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
13.

Круковський С. І. Електричні властивості подвійних гетероструктур InP/InGaAsP. — 2011 // Фізика і хімія твердого тіла.
14.

Ваків М. М. Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів i-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2013. - № 764.
15.

Круковський С. І. Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів <$E bold {p sup + - roman InP "/" n - roman InGaAsP "/" n - roman InP}> // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2012. - Вып. 47.
16.

Сизов Ф. Ф. Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів <$E bold {{roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As}> // Доп. НАН України. - 2009. - № 5.
17.

Круковський С. І. Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОС-гідридної епітаксії // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 3.
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського