РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
Оберіть мову
Ukrainian
Arabic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bulgarian
Chinese (Simplified)
Chinese (Traditional)
Czech
Danish
Dutch
English
Estonian
Finnish
French
Georgian
German
Greek
Hebrew
Hindi
Hungarian
Icelandic
Irish
Italian
Japanese
Korean
Latvian
Lithuanian
Norwegian
Persian
Polish
Portuguese
Romanian
Russian
Serbian
Slovak
Slovenian
Spanish
Swahili
Swedish
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Ключові слова (без закінчення)
Автор (тільки прізвище)
Назва
Рік видання
Сортувати знайдені документи за:
автором
назвою
роком видання
видом документа
Знайдено в інших БД:
Книжкові видання та компакт-диски (2)
Журнали та продовжувані видання (1)
Наукова періодика України (5)
Авторитетний файл імен осіб (1)
Пошуковий запит:
(<.>A=Круковський С$<.>)
Загальна кількість знайдених документів
:
17
Представлено документи
з 1 до 17
1.
Литовченко П. Г.
Деградація <$Ebold { roman Al sub x roman Ga sub {1~-~x } }>As/GaAs гетеростуктур у <$Egamma>-полі <$Eroman bold {Co sup 60 }>
. — 2003 //
Фізика і хімія твердого тіла
.
2.
Заячук Д. М.
Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії
. — 2005 //
Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка"
.
3.
Круковський С
. І.
Механізм очистки епітаксійних шарів GaAs, InGaAsP під впливом комплексного легування розплавів рідкісноземельними елементами та алюмінієм в технології РФЕ
. — 2006 //
Фізика і хімія твердого тіла
.
4.
Заячук Д. М.
Особливості одержання лазерних структур GaAs/AlGaAs методом РФЕ під впливом Yb
. — 2005 //
Фізика і хімія твердого тіла
.
5.
Мрихін І. О.
Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним
p - n
-переходом
. — 2007 //
Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка"
.
6.
Заячук Д. М.
Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії
. — 2009 //
Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка"
.
7.
Круковський С
. І.
Комплексно леговані структури на основі <$Eroman bold {A sub 3 B sub 5 }>
: Автореф. дис... д-ра техн. наук. — Л., 2006
8.
Ваків М. М.
Дослідження фазових рівноваг в системі Bi - InSb
. — 2011 //
Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка"
.
9.
Ваків М. М.
Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi - InAs
. — 2010 //
Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка"
.
10.
Круковський С
. І.
Епітаксійні шари GaAs, отримані газофазною хлоридною епітаксією з використанням галієвого джерела, легованого ітербієм
. — 2009 //
Фізика і хімія твердого тіла
.
11.
Ваків М. М.
Низькотемпературна рідинно-фазна епітаксія
p
-Si шарів у складі
p - i - n
Si високовольтних структур
. — 2011 //
Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка"
.
12.
Круковський С
. І.
Властивості подвійних гетеропереходів <$E bold p sup +>-InP/
n
-InGaAsP/
n
-InP, отриманих за різних технологічних режимів
. — 2011 //
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
.
13.
Круковський С
. І.
Електричні властивості подвійних гетероструктур InP/InGaAsP
. — 2011 //
Фізика і хімія твердого тіла
.
14.
Ваків М. М.
Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів
i
-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії
//
Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка"
. - 2013. - № 764.
15.
Круковський С
. І.
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів <$E bold {p sup + - roman InP "/" n - roman InGaAsP "/" n - roman InP}>
//
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
: межвед. сб. науч. тр. - 2012. - Вып. 47.
16.
Сизов Ф. Ф.
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів <$E bold {{roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As}>
//
Доп. НАН України
. - 2009. - № 5.
17.
Круковський С
. І.
Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОС-гідридної епітаксії
//
Журн. нано- та електрон. фізики
. - 2018. - 10, № 3.
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
Всі права захищені ©
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського